Nghiên cứu ảnh hưởng của nồng độ pha tạp Carbon lên cấu trúc của các màng Mn₅Ge₃ được chế tạo trên đế Ge(111)

Download

TẠP CHÍ KHOA HỌC TRƢỜNG ĐẠI HỌC HỒNG ĐỨC - SỐ 51.2020

NGHIÊN CỨU ẢNH HƢỞNG CỦA NỒNG ĐỘ PHA TẠP CARBON

LÊN CẤU TRÚC CỦA CÁC MÀNG Mn₅Ge₃

ĐƢỢC CHẾ TẠO TRÊN ĐẾ Ge(111)

Lê Thị Giang¹

TÓM TẮT

Bằng cách kết hợp các phép phân tích cấu trúc hiện đại từ nhiễu xạ điện tử

phản xạ năng lượng cao (RHEED), Kính hiển vi điện tử truyền qua độ phân giải cao

(HR-TEM) và giản đồ nhiễu xạ tia X (X-ray), nhóm nghiên cứu đã xác định được

nồng độ carbon tối đa có thể pha tạp vào màng Mn₅Ge₃mà không làm thay đổi cấu

trúc của chúng là x = 0,6. Vượt quá nồng độ này, các màng sẽ thay đổi hoàn toàn

cấu trúc và chuyển sang dạng đa tinh thể hay vô định hình tương ứng với nồng độ

carbon x = 0,7 và 0,9. Nguyên nhân được cho là do carbon ở những nồng độ này đã

vượt ngưỡng cho phép nên không thể kết hợp được vào các vị trí xen kẽ còn trống

trong màng tinh thể dẫn tới carbon dư thừa phá hủy cấu trúc của màng.

Từ khóa: Màng mỏng, Mn₅Ge₃, pha tạp carbon.

1. ĐẶT VẤN ĐỀ

Công nghệ điện tử spin, thế hệ kế tiếp của công nghệ bán dẫn, sẽ đƣợc thúc đẩy

phát triển một cách mạnh mẽ nếu tính chất sắt từ ở nhiệt độ phòng có thể đƣợc đƣa vào

các thiết bị bán dẫn và các mạch tích hợp. Có hai phƣơng pháp đã đƣợc sử dụng để tiêm

dòng spin phân cực vào các bán dẫn: sử dụng tiếp giáp không đồng nhất kim loại sắt từ

/bán dẫn thông qua hàng rào điện môi hoặc hàng rào Schottky [1]; sử dụng bán dẫn pha

loãng từ nhƣ một bộ điều chỉnh spin [2,3]. Với phƣơng pháp thứ nhất, vấn đề khó khăn

gặp phải là không thể lắng đọng trực tiếp kim loại sắt từ lên các bán dẫn nền để tạo ra

lớp tiếp giáp kim loại/bán dẫn. Phƣơng pháp thứ hai bị hạn chế bởi nhiệt độ chuyển pha

thấp của các bán dẫn pha loãng từ (dƣới nhiệt độ phòng) [4].

Gần đây, một phƣơng án thay thế đã đƣợc đƣa ra, trong đó các hợp chất sắt từ

nhƣ Fe₃Si [5,6], Fe_1.7Ge [7] hay Mn₅Ge₃[8-13] đƣợc phát triển epitaxy trên đế Si và

Ge và hoạt động nhƣ một tiêm spin. Trong số đó, duy nhất có hợp chất Mn₅Ge₃là thể

hiện tính sắt từ ở nhiệt độ phòng. Theo tính toán lý thuyết, Mn₅Ge₃sẽ cho hiệu suất

tiêm spin cao và có độ phân cực spin lên tới 42% [14]. Các màng mỏng Mn₅Ge₃đã

đƣợc chỉ ra là có thể phát triển một cách epitaxy trên đế Ge (111), cho phép tiêm trực

tiếp dòng spin phân cực vào bán dẫn nhóm IV [9-11,13]. Đặc biệt là một số nghiên

cứu đã chỉ ra rằng có thể làm tăng từ tính và độ phân cực spin của Mn₅Ge₃bằng cách

pha tạp một lƣợng nhỏ C [8,11,12] hoặc Fe [6,15].

¹Khoa Kỹ thuật và Công nghệ, Trường Đại học Hồng Đức

TẠP CHÍ KHOA HỌC TRƢỜNG ĐẠI HỌC HỒNG ĐỨC - SỐ 51.2020

Nghiên cứu lý thuyết cho thấy, pha tạp một lƣợng nhỏ C sẽ làm tăng nhiệt độ

chuyển pha của vật liệu do các nguyên tử C có bán kính nhỏ nên dễ dàng khuếch tán

đến các vị trí trống trong mạng tinh thể. Một số nghiên cứu thực nghiệm ban đầu

theo hƣớng này cũng đã đƣợc thực hiện nhƣng chƣa đƣa ra đƣợc nồng độ C pha tạp

tối ƣu [2,16,17]. Để có thể đƣa vào trong các ứng dụng, vật liệu không chỉ cần có

nhiệt độ chuyển pha cao mà còn phải giữ đƣợc cấu trúc ổn định vì quá trình chế tạo

các thiết bị sẽ trải qua một số bƣớc ủ nhiệt. Chính vì vậy, trong nghiên cứu này chúng

tôi thực hiện việc pha tạp C trong quá trình chế tạo các màng Mn₅Ge₃và phân tích ảnh

hƣởng của chúng lên cấu trúc của màng, với hy vọng đƣa ra đƣợc nồng độ C tối đa có

thể pha tạp mà vẫn giữ đƣợc cấu trúc của pha Mn₅Ge₃.

2. THỰC NGHIỆM

Trong nghiên cứu này, chúng tôi lựa chọn chế tạo các mẫu Mn₅Ge₃C_xvới hàm

lƣợng C khác nhau (x = 0,2 ; 0,4; 0,6; 0,7 ; 0,9) bằng phƣơng pháp epitaxy chùm

phân tử (MBE) trên đế Ge(111). Sở dĩ chúng tôi lựa chọn các nồng độ này bởi lẽ

trong quá trình chế tạo, theo dõi trên màn hình RHEED bắt đầu từ nồng độ x = 0,6

hình ảnh các sọc có dấu hiệu mờ đi nên ở mẫu sau chúng tôi đã lựa chọn chế tạo ở

ngay nồng độ x = 0,7 để có thể thấy đƣợc sự chuyển biến rõ hơn về sự hình thành cấu

trúc của các màng. Các mẫu đƣợc khảo sát cấu trúc bằng giản đồ nhiễu xạ tia X và

kính hiển vi điện tử truyền qua (TEM). Tính chất từ của các mẫu đƣợc khảo sát bởi hệ

đo từ SQUID. Kết quả các phép đo sẽ đƣợc phân tích và tổng hợp để đƣa ra hàm

lƣợng C pha tạp phù hợp nhằm ổn định tốt nhất các bán dẫn sắt từ Mn₅Ge₃.

Lắng đọng epitaxy pha rắn (Solid Phase Epitaxy - SPE) là phƣơng pháp đƣợc sử

dụng để chế tạo các mẫu trong nghiên cứu này. Các màng đƣợc chế tạo trong môi

trƣờng chân không siêu cao ở nhiệt độ phòng, sau đó ủ nhiệt. Đối với hệ mẫu MnGe, kỹ

thuật SPE cho thấy những ƣu điểm nổi bật đó là: kiểm soát chặt chẽ nhiệt độ và thời

gian ủ nhiệt, xác định chính xác các pha cấu trúc đƣợc hình thành thông qua các kỹ

thuật phân tích trong chân không siêu cao (RHEED). Quá trình ủ nhiệt không chỉ liên

quan đến sự khuếch tán mà còn cả các bƣớc phản ứng tạo mầm và phản ứng hóa học để

tạo ra các liên hóa học trong hợp chất. Việc lắng đọng các màng Mn₅Ge₃C_xđƣợc thực

hiện trên một đế Ge (111) với bề mặt sạch. Trƣớc tiên chúng tôi cho lắng đọng một lớp

đệm khoảng 40 nm nhằm tạo ra một bề mặt tốt nhất cho việc lắng đọng lớp màng. Tiếp

theo chúng tôi cho lắng đọng đồng thời các nguyên tử Mn và C ở nhiệt độ phòng, sau

đó ủ nhiệt ở 450 °C trong thời gian 10 đến 15 phút để kích hoạt sự khuếch tán giữa

nguyên tử C, Mn và Ge. Các nguyên tử carbon có bán kính nguyên tử đủ nhỏ nên có

nhiều khả năng kết hợp đƣợc vào màng epitaxy Mn₅Ge₃thông qua quá trình phát triển

này. Hàm lƣợng carbon đƣợc điều chỉnh sao cho giá trị x thay đổi trong khoảng từ 0,2

đến 0,9. Việc tăng nhiệt độ đƣợc thực hiện theo các bƣớc 10˚C /phút để ngăn chặn sự

khuếch tán nhanh chóng và đảm bảo độ kết tinh tốt của lớp màng.

TẠP CHÍ KHOA HỌC TRƢỜNG ĐẠI HỌC HỒNG ĐỨC - SỐ 51.2020

3. KẾT QUẢ VÀ THẢO LUẬN

Cấu trúc của các màng Mn₅Ge₃C_xđƣợc xác định dựa vào việc phân tích các kết

quả từ RHEED, TEM độ phân giải cao và giản độ nhiễu xạ tia X. Dựa vào kết quả thu

đƣợc từ thực nghiệm, chúng tôi chia ra hai khoảng nồng độ carbon pha tạp đƣợc xác

định theo chất lƣợng tinh thể của các màng: 0,1 < x ≤ 0,6 và 0,6 < x <0,9.

3.1. Nồng độ C: x ≤ 0,6

Nhƣ chúng ta đã biết, RHEED là kỹ thuật quan sát tại chỗ quá trình phát triển

của các mẫu và đƣợc gắn vào bên trong thiết bị chế tạo epitaxy chùm phân tử (MBE).

Các hình ảnh thu đƣợc trên màn hình của RHEED cho chúng ta biết thông tin về kiểu

tăng trƣởng (2D, 3D hay hỗn hợp) và cấu trúc của các màng. Trong trƣờng hợp các

màng có cùng kiểu tăng trƣởng và cùng cấu trúc tinh thể thì hình ảnh thu đƣợc từ

RHEED là hoàn toàn nhƣ nhau.

Trong khoảng nồng độ này, quá trình làm thực nghiệm chúng tôi đã chế tạo các

mẫu x = 0,2; 0,4 và 0,6. Tuy nhiên, kết quả quan sát hình ảnh RHEED trong quá trình

thực nghiệm cho thấy, ở nồng độ x = 0,2; 0,4 và 0,6 các màng đều phát triển dạng 2D

và vẫn giữ cấu trúc nhƣ của pha Mn₅Ge₃. Hơn nữa, mục tiêu của nghiên cứu này là

tìm ra đƣợc nồng độ C pha tạp sao cho màng vẫn giữ đƣợc cấu trúc tinh thể dạng

Mn₅Ge₃, nên trong phần này chúng tôi chỉ đƣa ra những kết quả của trƣờng hợp có

nồng độ pha tạp carbon cao nhất tƣơng ứng với x = 0,6.

Hình 1 biểu thị ảnh RHEED đặc trƣng quan sát đƣợc trong quá trình phát triển

của màng Mn₅Ge₃C_xvới x = 0,6. Hình ảnh RHEED theo hƣớng [11-2] xuất hiện các

sọc 1/3 và 2/3 chính là đặc điểm của sự tái cấu trúc bề mặt kiểu (3×3)R30° của màng

Mn₅Ge₃xuất hiện sau khi đƣợc ủ ở nhiệt độ 450^oC. Ngoài ra, các phép đo khoảng

cách giữa các sọc 1x1 cho thấy cùng một giá trị thu đƣợc đối với màng không chứa

carbon Mn₅Ge₃. Kết quả này cho thấy rằng màng là đơn tinh thể và kết hợp hoàn hảo

với đế, đồng thời cũng chứng minh rằng việc pha tạp carbon trong trƣờng hợp này

không làm thay đổi nhiệt độ hình thành pha cấu trúc cũng nhƣ cấu trúc bề mặt và cả

khu vực giao diện với đế Ge (111). Các sọc thể hiện trên RHEED với cƣờng độ, độ

nét và độ dài rất rõ ràng cũng chỉ ra rằng bề mặt vẫn là 2D đến nồng độ x = 0,6.

Hình 1. Ảnh RHEED chụp dọc theo hƣớng [11-2]

(a) và hƣớng [1-10] (b) sau khi chế tạo màng Mn₅Ge₃C_0,6

TẠP CHÍ KHOA HỌC TRƢỜNG ĐẠI HỌC HỒNG ĐỨC - SỐ 51.2020

Cấu trúc tinh thể của màng đƣợc hiển thị bằng hình ảnh TEM độ phân giải cao

trong hình 2 cho thấy màng là đơn tinh thể với chất lƣợng rất tốt và giao diện thay đổi

đột ngột ở quy mô nguyên tử, không có khuyết tật nào xuất hiện trong màng. Kết quả

này phù hợp với các quan sát của RHEED, chỉ ra rằng sự phát triển của màng

Mn₅Ge₃C_xvới x ≤ 0,6 đƣợc kiểm soát hoàn hảo trên đế Ge (111).

Hình 2. Ảnh TEM độ phân giải cao của màng Mn₅Ge₃C_0,6

Những kết quả trên đƣợc khẳng định lại bằng phép phân tích nhiễu xạ tia X.

Hình 3 cho thấy sự so sánh phổ nhiễu xạ của lớp Mn₅Ge₃C_0,6với lớp không có carbon

Mn₅Ge₃. Tính đơn tinh thể của màng đƣợc khẳng định bởi sự có mặt của các đỉnh

Mn₅Ge₃(002) và (004) chứng tỏ các màng có cùng cấu hình cấu trúc và hƣớng [001]

vuông góc với mặt phẳng của màng. Hơn nữa, không cực đại nào khác xuất hiện cho

thấy rằng carbon không làm thay đổi trạng thái ứng suất trong màng Mn₅Ge₃. Những

đặc điểm cấu trúc này xác nhận rằng carbon kết hợp không gây ra bất kỳ biến dạng

nào của các tham số mạng Mn₅Ge₃cho tới nồng độ pha tạp x = 0,6.

Hình 3. Giản đồ nhiễu xạ tia X của màng Mn₅Ge₃C_0,6mọc trên đế Ge (111)

TẠP CHÍ KHOA HỌC TRƢỜNG ĐẠI HỌC HỒNG ĐỨC - SỐ 51.2020

3.2. Nồng độ C: x > 0,6

Phân tích hình ảnh RHEED thu đƣợc khi chụp các màng Mn₅Ge₃C_0,7và

Mn₅Ge₃C_0,9theo hƣớng [11-2] cho thấy, các sọc 1/3 và 2/3 trong hình 4a và 4b thể

hiện sự tái cấu trúc bề mặt kiểu (3×3)R30° của màng Mn₅Ge₃gần nhƣ không còn. Cả

hình 4a và 4b đều chỉ bao gồm các đốm chứng tỏ bề mặt màng gồ ghề và màng đƣợc

phát triển dạng 3D. Tuy nhiên, một số đốm trên hình 4a có hình dạng kéo dài trùng

với các sọc 1/3 và 2/3 nên nhiều khả năng trong màng vẫn tồn tại các đám có cấu trúc

của Mn₅Ge₃. Nhìn chung, đây chính là hình ảnh RHEED của một màng đa tinh thể. Ở

hình 4b, các đốm sáng có cƣờng độ khá yếu và trên hình tồn tại các vòng đặc trƣng

cho các cấu trúc vô định hình, vì vậy có thể dự đoán màng Mn₅Ge₃C_0,9là vô định hình

và ở một vài vị trí vẫn tồn tại các đám tinh thể Mn₅Ge₃.

Hình 4. Hình ảnh RHEED chụp dọc theo hƣớng [11-2]

của màng Mn₅Ge₃C_xvới x = 0,7 (a) và x = 0,9 (b)

Ảnh chụp TEM theo mặt cắt ngang của 15nm màng Mn₅Ge₃C_0,7và Mn₅Ge₃C_0,9

thể hiện sự không đồng nhất trong cấu trúc của lớp màng. Trong màng Mn₅Ge₃C_0,7

xuất hiện các đám có chất lƣợng tinh thể tốt, tuy nhiên chỉ tồn tại cục bộ một vài vị trí.

Cấu trúc của màng Mn₅Ge₃C_0,9qua quan sát trên hình 5a thể hiện dạng vô định hình.

Có thể tồn tại các đám kết tinh nhƣng không quan sát đƣợc ở độ phân giải này của ảnh

TEM. Nhƣ vậy, các kết quả này hoàn toàn phù hợp với những quan sát từ ảnh RHEED

trên hình 4a và 4b.

Hình 5. Ảnh TEM tổng quát của màng Mn₅Ge₃C_0,7(a) và của màng Mn₅Ge₃C_0,9(b).

TẠP CHÍ KHOA HỌC TRƢỜNG ĐẠI HỌC HỒNG ĐỨC - SỐ 51.2020

Theo nghiên cứu lý thuyết, khi pha tạp C vào màng Mn₅Ge₃thì nguyên tử C với

bán kính nhỏ hơn sẽ khuếch tán vào các vị trí xen kẽ giữa hai nguyên tử Mn_IItrong mạng

tinh thể [6,10]. Vì thế, sự thay đổi cấu trúc khi tăng nồng độ C có thể là do số các vị trí

xen kẽ còn trống trong mạng tinh thể chỉ đủ cho một lƣợng C nhất định đi vào cấu trúc.

Khi nồng độ C tăng lên thì lƣợng C dƣ thừa càng lớn và dẫn đến cấu trúc Mn₅Ge₃bị phá

vỡ. Một thông tin quan trọng khác mang lại từ ảnh chụp TEM đó là: giao diện giữa màng

và đế gồ ghề, không rõ nét. So sánh hai hình 5a và 5b cho thấy, khi nồng độ pha tạp C

càng tăng thì giao diện giữa màng và đế càng bị mở rộng. Nhƣ vậy, những khác biệt này

cho thấy một sự thay đổi rõ ràng về mặt cấu trúc khi pha tạp C bắt đầu từ nồng độ x = 0,7.

4. KẾT LUẬN

Nhƣ vậy, tổng hợp các kết quả phân tích cấu trúc ở trên chúng ta có thể kết luận

rằng: Việc pha tạp carbon đồng thời trong quá trình chế tạo màng Mn₅Ge₃hoàn toàn có

thực hiện đƣợc mà không làm thay đổi cấu trúc của màng với nồng độ carbon x = 0,6;

Khi nồng độ carbon pha tạp vƣợt qua giá trị này, cấu trúc của màng bị thay đổi, không

còn là đơn tinh thể Mn₅Ge₃mà sẽ là đa tinh thể hoặc vô định hình. Việc đƣa ra đƣợc

nồng độ pha tạp carbon tối ƣu nhất để vừa có thể làm tăng nhiệt độ chuyển pha và lại

vẫn giữ đƣợc cấu trúc dạng đơn tinh thể Mn₅Ge₃của màng cần phải có thêm các kết

quả đo tính chất từ của các màng. Đây sẽ là nghiên cứu tiếp thheo của chúng tôi.

TÀI LIỆU THAM KHẢO

[1] C. Timm (2003), Disorder effects in diluted magnetic semiconductors, Journal

of Physics: Condensed Matter, 15, R1865.

[2] O.M.J. van’t Erve, G. Kioseoglou, A.T.Hanbicki, C.H. Li, B.T. Jonker,

R.Mallory,M. Yasar, A. Petrou (2004), Comparison of Fe/Schottky and Fe/Al 2

O 3 tunnel barrier contacts electrical spin injection into GaAs, Applied Physics

Letters, 84 4334.

[3] Y.D.Park, A.T.Hanbicki, S.C.Erwin, C.S.Hellberg, J.M.Sullivan, J.E.Mattson,

T.F. Ambrose, A. Wilson, G. Spanos, B.T. Jonker (2002), A group-IV

ferromagnetic semiconductor: MnxGe 1- x, Science 295-651.

[4] Y. Ando, K. Hamaya, K. Kasahara, Y. Kishi, K. Ueda, K. Sawano, T. Sadoh,

M.Miyao (2009), Electrical injection and detection of spin-polarized electrons in

silicon through an Schottky tunnel barrier, Applied Physics Letters, 94, 182105.

[5] K. Hamaya, K. Ueda, Y. Kishi, Y. Ando, T. Sadoh, M. Miyao (2008), Epitaxial

ferromagnetic Fe 3 S

∕ Si(111) structures with high-quality heterointerfaces,

Applied Physics Letters, 93, 132117.

TẠP CHÍ KHOA HỌC TRƢỜNG ĐẠI HỌC HỒNG ĐỨC - SỐ 51.2020

[6] T.Y. Chen, C.L. Chien, C. Petrovic (2007), Enhanced Curie temperature and

spin polarization in Mn 4 FeGe 3, Applied Physics Letters, 91, 142505.

[7] R. Jaafar, Y. Nehme, D. Berling, J.L. Bubendorff, A. Mehdaoui, C. Pirri,

G.Garreau, C. Uhlaq-Bouillet (2008), Room-temperature ferromagnetism in

single crystal Fe 1.7 Ge thin films of high thermal stability grown on Ge(111),

Applied Physics Letters, 93, 033114.

[8] C. Sürgers, K. Potzger, T. Strache, W. Möller, G. Fischer, N. Joshi,

H.v.Löhneysen (2008), Magnetic order by C-ion implantation into and its lateral

modification, Applied Physics Letters, 93, 062503.

[9] C. Zeng, S.C. Erwin, L.C. Feldman, A.P. Li, R. Jin, Y. Song, J.R. Thompson,

H.H.Weitering (2003), Epitaxial ferromagnetic Mn 5 Ge 3 on Ge(111), Applied

Physics Letters, 83, 5002.

[10] C. Zeng, W. Zhu, S.C. Erwin, Z. Zhang, H.H. Weitering (2004), Initial stages of

Mn adsorption on Ge (111), Physical Review B, 70, 205340.

[11] C-E Dutoit, V O Dolocan, M Kuzmin, L Michez, M Petit, V Le Thanh, B

Pigeau and S Bertaina (2016), Mn₅Ge₃C_0.6/Ge(111) Schottky contacts tuned by

an n-type ultra-shallow doping layer&quot, Journal of Physics D: Applied

Physics 49 - 4.

[12] I. Slipukhina, E. Arras, Ph. Mavropoulos, P. Pochet (2009), Simulation of the

enhanced Curie temperature in Mn 5 Ge 3 C x compounds, Applied Physics

Letters, 94, 192505.

[13] S. Olive-mendez, A. Spiesser, L.A. Michez, V. Le Thanh, A. Glachant, J.

Derrien, T. Devillers, A. Barski, M. Jamet (2008), Epitaxial growth of

Mn5Ge3/Ge (111) heterostructures for spin injection, Thin Solid Films, 517191.

[14] Sion F. Olive-Méndez, Ricardo López Antón, Jesús L. A. Ponce-Ruiz and José

T. Holguín-Momaca (2018), High anisotropy on epitaxial C-doped

Mn5Ge3 thin films grown on Ge(001), Apply Physics Letter, 113, 112408.

[15] A. Stroppa, G. Kresse, A. Continenza (2008), Spin polarization tuning in Mn 5-

x Fe x Ge 3, Applied Physics Letters, 93 092502.

[16] A. Spiesser, I. Slipukhina, M.-T. Dau, E. Arras, V. Le Thanh, L. Michez,

P.Pochet, H. Saito, S. Yuasa, M. Jamet, and J. Derrien (2011), Control of

magnetic properties of epitaxial Mn5Ge3Cx films induced by carbon doping,

Physical Review B, 84, 165203

[17] Minh-Tuan Dau, Vinh Le Thanh, Lisa A Michez, Matthieu Petit, Thi-Giang Le,

Omar Abbes, Aurelie Spiesser, Alain Ranguis (2012), An unusual phenomenon

of surface reaction observed during Ge overgrowth on Mn₅Ge₃/Ge(111)

heterostructures, New Journal of Physics, 14, 103020.

TẠP CHÍ KHOA HỌC TRƢỜNG ĐẠI HỌC HỒNG ĐỨC - SỐ 51.2020

STUDY THE EFFECTS OF CARBON CONCENTRATION

ON STRUCTURAL PROPERTIES OF Mn₅Ge₃

THIN FILMS GROWN ON Ge(111)

Le Thi Giang

ABSTRACT

By combining the results from the structural analysis of Reflection High Enegy

Electronic Diffraction, High resolution-transmission electron microscopy (HR-TEM)

and X-Ray Diffraction, the maximum concentration of carbon which can be doped

into Mn₅Ge₃films without changing their structure has been determined to be x= 0.6.

Exceeding this concentration, the films structure turns into polycrystalline or

amorphous corresponding to carbon concentrations x = 0.7 and 0.9. These change

due to the fact that C at these concentrations has exceeded the permissible threshold,

leading to excess C destroying the film structure.

Keyword: Thin films, Mn₅Ge₃, carbon concentration.

* Ngày nộp bài: 29/11/2019; Ngày gửi phản biện: 5/12/2019; Ngày duyệt đăng: 28/10/2020

* Lời cảm ơn: Nghiên cứu này được thực hiện bởi kinh phí thuộc đề tài cấp cơ sở của

Trường Đại học Hồng Đức có mã số ĐT-2018-43. Chúng tôi in chân thành cảm ơn

các đồng nghiệp thuộc nhóm nghiên cứu vật liệu không đồng nhất nền Si và Ge của

GS. TSKH. Lê Thành Vinh tại Trung tâm liên ngành về khoa học nano Marseille,

Cộng h a Pháp đã giúp đỡ chúng tôi trong quá trình thực hiện nghiên cứu này.

8 trang yennguyen 14920 Free

Download

Bạn đang xem tài liệu "Nghiên cứu ảnh hưởng của nồng độ pha tạp Carbon lên cấu trúc của các màng Mn₅Ge₃ được chế tạo trên đế Ge(111)", để tải tài liệu gốc về máy hãy click vào nút Download ở trên

File đính kèm:

nghien_cuu_anh_huong_cua_nong_do_pha_tap_carbon_len_cau_truc.pdf