Luận án Nghiên cứu phát triển hệ thống cảm biến điện dung ứng dụng phát hiện độ nghiêng và vi hạt
BỘ THÔNG TIN VÀ TRUYỀN THÔNG
HỌC VIỆN CÔNG NGHỆ BƯU CHÍNH VIỄN THÔNG
NGHIÊN CỨU PHÁT TRIỂN HỆ THỐNG CẢM BIẾN ĐIỆN DUNG
ỨNG DỤNG PHÁT HIỆN ĐỘ NGHIÊNG VÀ VI HẠT
LUẬN ÁN TIẾN SĨ KỸ THUẬT
Chuyên ngành: Kỹ thuật điện tử
Hà Nội - 2020
ii
LỜI CAM ĐOAN
Tôi xin cam đoan dưới đây là luận án tốt nghiệp của riêng tôi, dưới sự hướng
dẫn của GS.TS. Nguyễn Bình – Học viện Công nghệ Bưu chính Viễn thông.
Tất cả những kết quả và số liệu trong luận án này là trung thực và có được từ
những nghiên cứu mà tôi và nhóm nghiên cứu của tôi đã thực hiện trong quá
trình làm luận án.
Hà Nội, ngày
tháng 08 năm 2020
Nghiên cứu sinh
Trần Thị Thúy Hà
iii
LỜI CẢM ƠN
Trong quá trình thực hiện luận án : "Nghiên cứu phát triển hệ thống
cảm biến điện dung ứng dụng phát hiện độ nghiêng và vi hạt", Tôi đã
nhận được rất nhiều sự giúp đỡ, tạo điều kiện của Ban lãnh đạo Học viện Công
nghệ Bưu chính Viễn thông, Khoa Đào tạo sau Đại học - Học viện Công nghệ
Bưu chính Viễn thông, Giảng viên, Bộ môn MEMS, Khoa Điện tử - Viễn thông,
Trường Đại học Công nghệ - Đại học Quốc gia Hà Nội. Tôi xin bày tỏ lòng cảm
ơn chân thành về sự giúp đỡ này.
Tôi xin bày tỏ lòng biết ơn sâu sắc tới Giáo sư, Tiến sĩ Nguyễn Bình, Phó
Giáo sư, Tiến Sĩ Bùi Thanh Tùng - những người đã tận tình hướng dẫn để tôi
có thể hoàn thành luận án này. Đồng thời, tôi cũng xin bày tỏ lòng biết ơn chân
thành tới nhóm nghiên cứu của tôi đã đồng hành và hỗ trợ tôi trong quá trình
nghiên cứu.
Tôi cũng xin bày tỏ lòng biết ơn chân thành tới các đồng nghiệp trong khoa
Kỹ thuật Điện tử 1, Học viện Công Nghệ Bưu chính Viễn thông, cũng như các
đồng nghiệp ở khoa Điện tử-Viễn thông, Đại học Công Nghệ, Đại Học Quốc Gia
Hà Nội đã hỗ trợ tôi trong suốt quá trình làm luận án.
Nhân dịp này, Tôi cũng xin được gửi lời cảm ơn chân thành tới gia đình, bạn
bè đã luôn bên cạnh, cổ vũ, động viên, giúp đỡ Tôi trong suốt quá trình thực
hiện luận án tiến sĩ.
Hà Nội, ngày
tháng 08 năm 2020
Nghiên cứu sinh
iv
LỜI MỞ ĐẦU
Lý do nghiên cứu
Ngày nay, hệ thống vi cơ điện tử được biết đến là một công cụ hữu ích trong
nhiều lĩnh vực: công nghiệp, y học, sinh học... So với các kỹ thuật cảm biến
khác, cảm biến dùng trong hệ thống vi cơ có độ nhạy cao, giám sát tại chỗ và
chi phí thấp.
Công nghệ vi cơ điện tử là sự kết hợp, giao thoa của nhiều lĩnh vực, từ vật
lý cổ điển, cơ hóa-lỏng (chemistry—fluid mechanics), tĩnh điện, nhiệt động học,
cơ học thống kê (statistical mechanics), sự đàn hồi đến vật lý polyme ... Ngoài
ra hệ thống vi cơ điện tử có kích thước rất nhỏ nên có thể loại bỏ được độ phi
tuyến trong các hiện tượng vật lý.
Cảm biến điện dung đang trở thành một công nghệ phổ biến để thay thế các
phương pháp phát hiện quang học và thiết kế cơ khí cho các ứng dụng như phát
hiện cử chỉ, phát hiện đối tượng, phân tích vật liệu và cảm nhận mức chất lỏng.
Những ưu điểm vượt trội của cảm biến điện dung so với các phương pháp phát
hiện khác là nó có thể cảm nhận được nhiều loại vật liệu khác nhau (như: da,
nhựa, kim loại, chất lỏng), nó có thể cảm nhận được đối tượng mà không cần
tiếp xúc và không bị giới hạn kích thước, đồng thời nó có khả năng cảm nhận
với một khoảng cách lớn, kích thước cảm biến nhỏ.
Trong những thập kỷ qua đã ghi nhận được sự phát triển của hệ thống cảm
biến: nhiều nguyên mẫu của hệ thống được phát minh, sự phức tạp của thiết bị,
kỹ thuật chế tạo và cảm biến đã được phát triển hoặc cải thiện. Tuy nhiên, cảm
biến điện dung sử dụng công nghệ vi cơ điện tử vẫn còn trong giai đoạn hình
thành và phát triển, do vậy, vẫn còn nhiều cơ hội để áp dụng cho nhiều lĩnh vực
ví dụ như phát hiện độ nghiêng hay phát hiện vi hạt trong kênh vi lỏng...
Mục đích nghiên cứu
Luận án nghiên cứu, thiết kế và xây dựng hệ thống cảm biến điện dung với
những mục đích:
Phát hiện độ nghiêng
Phát hiện vi hạt trong kênh vi lỏng
Đối tượng và phạm vi nghiên cứu
Luận án nghiên cứu, xây dựng và thiết kế cảm biến điện dung vi sai không
tiếp xúc cho ứng dụng đo độ nghiêng và phát hiện đối tượng trong kênh vi lỏng.
Ý nghĩa khoa học và thực tiễn của đề tài nghiên cứu
Ý nghĩa khoa học của luận án mà nghiên cứu sinh hướng tới là xây dựng,
thiết kế và chế tạo cảm biến điện dung vi sai dùng để phát hiện độ nghiêng cũng
v
như cảm nhận được sự thay đổi môi trường trong kênh vi lỏng để từ đó phát
hiện ra các đối tượng xuất hiện trong vi kênh. Từ các mô hình, chương trình
tính toán và chương trình mô phỏng, NCS và nhóm nghiên cứu đã xây dựng
thành công hệ thống, đánh giá độ tin cậy, phạm vi hoạt động để đưa ra cấu trúc
tối ưu.
Ý nghĩa thực tiễn của luận án mà nghiên cứu sinh hy vọng đạt được là các
cấu trúc cảm biến điện dung vi sai không tiếp xúc mà luận án đưa ra có thể cải
thiện được độ chính xác, tăng phạm vi hoạt động, giảm thiểu kích thước, chi
phí và có khả năng ứng dụng cấu trúc trong nhiều lĩnh vực khoa học cũng như
đời sống.
Phương pháp nghiên cứu
Phương pháp thiết kế và mô phỏng: Các cấu trúc MEMS được thiết kế dựa
trên phần mềm LEdit và được mô phỏng dựa trên phần mềm mô phỏng
phần tử hữu hạn. Các mạch điện được thiết kế dựa trên các phần mềm
Orcad và Altium.
Phương pháp và kỹ thuật chế tạo: Sử dụng công nghệ vi chế tạo MEMS
trên nền silicon, thủy tinh, vật liệu polymer, ITO và kim loại. Sử dụng các
kỹ thuật vi chế tạo khối và vi chế tạo mặt trong các quy trình chế tạo các
kênh dẫn, các bộ chấp hành, các bộ cảm biến.
Cấu trúc của luận án
Ứng dụng của hệ thống cảm biến điện dung trải rộng trong nhiều lĩnh vực
như y tế, sinh học, môi trường, công nghiêp.... Trước những yêu cầu thực tế đó,
nghiên cứu sinh đã thực hiện nghiên cứu, xây dựng và thiết kế hệ thống cảm
biến điện dung dùng để phát hiện độ nghiêng và vi hạt trong kênh vi lỏng.
Nội dung luận án bao gồm phần mở đầu, 3 chương và kết luận được bố cục
như sau:
Chương 1 trình bày tổng quan về các vấn đề nghiên cứu, lý thuyết cơ bản
về cảm biến điện dung.
Chương 2 luận án trình bày phương pháp thiết kế, mô phỏng và chế tạo
cảm biến điện dung dùng để phát hiện độ nghiêng.
Chương 3 luận án trình bày phương pháp thiết kế, mô phỏng và chế tạo
cảm biến điện dung dùng để phát hiện vi hạt.
Phần kết luận đưa ra đóng góp của nghiên cứu sinh trong luận án và đưa
ra những vấn đề mở trong tương lai.
Mục lục
Mục lục . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . vi
Chương 1. Tổng quan về vấn đề nghiên cứu . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
3
1.1 Mở đầu . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3
1.2 Nguyên tắc hoạt động cơ bản của cảm biến điện dung . . . . . . . . . . . 4
1.3 Cảm biến điện dung đơn . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6
1.4 Cảm biến điện dung vi sai . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7
1.4.1 Phương pháp đo điện dung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8
1.4.2 Phương pháp giải điều chế . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11
1.5 Một số đặc điểm của cảm biến điện dung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13
1.6 Các nghiên cứu liên quan đến đề tài luận án . . . . . . . . . . . . . . . . . 14
1.6.1 Đề xuất thứ nhất của luận án . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14
1.6.2 Đề xuất thứ hai của luận án . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20
1.7 Hướng nghiên cứu được đề xuất trong luận án . . . . . . . . . . . . . . . . 24
1.8 Kết luận chương . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25
Chương 2. Cảm biến điện dung phát hiện độ nghiêng . . . . . . . . . . . . 27
2.1 Mở đầu . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 27
2.2 Cảm biến điện dung phát hiện độ nghiêng hai trục . . . . . . . . . . . . . 28
2.2.1 Giới thiệu . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 28
2.2.2 Thiết kế và nguyên lý làm việc của cảm biến điện dung phát
hiện độ nghiêng dựa trên cấu trúc hai pha lỏng/khí . . . . . . . . . 31
2.2.3 Mô phỏng sự hoạt động của cấu trúc . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35
2.2.4 Mô phỏng mối quan hệ giữa điện dung và góc nghiêng theo trục
x và trục y . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 37
2.2.5 Khảo sát các điện cực của cảm biến nghiêng khi quay theo trục x . 38
MỤC LỤC
vii
2.2.6 Khảo sát các điện cực của cảm biến nghiêng khi quay theo trục y . 40
2.2.7 Thực nghiệm . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 43
2.2.8 Độ nhạy của cấu trúc cảm biến . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50
2.2.9 Nhận xét . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 52
2.3 Cảm biến điện dung phát hiện độ nghiêng hai trục in 3D . . . . . . . . . 52
2.3.1 Cấu trúc và mô phỏng cảm biến nghiêng . . . . . . . . . . . . . . . . 52
2.3.2 Thực nghiệm . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 56
2.4 Kết luận chương . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 61
Chương 3. Cảm biến điện dung phát hiện vi hạt. . . . . . . . . . . . . . . . . . 64
3.1 Mở đầu . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 64
3.2 Thiết bị vi sai phát hiện độ dẫn điện bằng cặp tụ không tiếp xúc để
phát hiện vi hạt trong kênh vi lỏng . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 67
3.2.1 Giới thiệu . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 67
3.2.2 Nguyên tắc làm việc của bộ phát hiện độ dẫn điện bằng điện
dung vi sai của cặp tụ không tiếp xúc - DC4D . . . . . . . . . . . . 70
3.2.3 Chế tạo và thiết lập phép đo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 72
3.2.4 Phát hiện đối tượng . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 76
3.2.5 Nhận xét . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 80
3.3 Thao tác tế bào trong chất lỏng dựa trên nguyên lý DEP . . . . . . . . . 80
3.3.1 Mở đầu . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 80
3.3.2 Thao tác DEP . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 82
3.4 Phương pháp thực hiện phát hiện và bắt giữ tế bào Hela . . . . . . . . . 85
3.4.1 Mở đầu . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 85
3.4.2 Phương pháp thực hiện . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 85
3.4.3 Thiết kế và mô phỏng . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 87
3.4.4 Kết quả và thảo luận . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 89
3.4.5 Nhận xét . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 92
3.5 Kết luận chương . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 93
Kết luận . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 98
Các công trình khoa học . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100
Tài liệu tham khảo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 112
Danh sách hình vẽ
1.1 Tụ điện song song . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4
1.2 Trường điện từ của tụ điện với bản cực song song. . . . . . . . . . . . 5
1.3 Mạch điện điển hình của tụ điện vi sai. . . . . . . . . . . . . . . . . . 8
1.4 Mạch điện sử dụng bộ khuếch đại chuyển trở kháng để phát hiện
dòng qua tụ điện. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9
1.5 Mạch điện sử dụng bộ khuếch đại chuyển trở kháng có thêm tụ
hồi tiếp để phát hiện dòng qua tụ điện. . . . . . . . . . . . . . . . . . 10
1.6 Mạch điện sử dụng tụ điện vi sai để đo điện áp đầu ra. . . . . . . . . 10
1.7 Mạch điện sử dụng phương pháp phát hiện đỉnh để giải điều chế
tín hiệu điện dung. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12
1.8 Sơ đồ khối hệ thống thực hiện phép đo điện dung. . . . . . . . . . . . 13
1.9 Sơ đồ cấu trúc và mạch tương đương của cấu trúc C4D thông thường. 22
2.1 Thiết kế cảm biến điện dung phát hiện độ nghiêng hình trụ . . . . . . 32
2.2 Nguyên lý làm việc của cảm biến nghiêng. . . . . . . . . . . . . . . . . 34
2.3 Sự phân bố điện trường của cảm biến. . . . . . . . . . . . . . . . . . . 36
2.4 Mối quan hệ giữa điện dung vi sai ∆C1, ∆C2 và góc nghiêng khi
cảm biến nghiêng theo trục x và trục y. . . . . . . . . . . . . . . . . . 38
2.5 a) Mối quan hệ giữa dải làm việc của cảm biến và kích thước W1;
b) Mối quan hệ giữa kích thước L2 và độ nhạy của cảm biến. . . . . . 39
2.6 Điện dung thay đổi khi cấu trúc quay theo trục x. . . . . . . . . . . . 40
2.7 Đồ thị khảo sát dải làm việc khi thay đổi kích thước W2. . . . . . . . 41
2.8 Đồ thị khảo sát độ nhạy cảm biến khi thay đổi kích thước W2. . . . . 41
2.9 Đồ thị khảo sát độ nhạy cảm biến khi thay đổi kích thước L3. . . . . 42
2.10 Đồ thị khảo sát sự thay đổi giá trị điện dung khi cảm biến nghiêng
theo trục y. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 43
DANH SÁCH HÌNH VẼ
ix
2.11 Thiết lập phép đo. a) Cảm biến được gắn trên hệ quay; b) Cảm
biến và mạch xử lý được đóng gói trong hộp kín; c) Bảng mạch
xử lý tín hiệu. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 44
2.12 Sơ đồ khối của cảm biến điện dung phát hiện độ nghiêng. . . . . . . . 45
2.13 Sơ đồ mạch điện xử lý tín hiệu của cảm biến điện dung phát hiện
độ nghiêng. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 46
2.14 Sự thay đổi của điện áp ra tương ứng với góc nghiêng theo trục x, y. 47
2.15 Sự thay đổi của điện áp ra tương ứng với góc nghiêng trên trục x
(từ −700 đến +700). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 47
2.16 Sự thay đổi của điện áp ra tương ứng với góc nghiêng trên trục y
(từ −300 đến +300). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 48
2.17 Sự thay đổi của điện áp ra và nhiễu xuyên kênh khi cảm biến
nghiêng trong dải 00 đến 900. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 49
2.18 Đáp ứng thời gian của cảm biến. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 49
2.19 Cấu trúc của cảm biến nghiêng: a) Dạng hình học, (a1) Nhìn từ
dưới lên, (a2) Nhìn toàn cảnh; (b) Các cặp tụ điện cảm biến trên
trục x (C1, C2) và trục y (C3, C4). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 53
2.20 Dải làm việc của cảm biến tương ứng với thể tích nước chứa trong
hình cầu. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 54
2.21 Sự phân bố điện trường của cảm biến tại góc 00 (bên trái) và góc
200 (bên phải) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 54
2.22 Khảo sát hoạt động của cảm biến trong dải đo −1800 đến +1800 . . . 55
2.23 Khảo sát giá trị vi sai của cặp tụ C1, C2 trên trục x và cặp tụ
C3, C4 trên trục y . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 55
2.24 Sự thay đổi của điện dung vi sai theo góc nghiêng trong phạm vi
hoạt động của cảm biến từ −700 đến +700 . . . . . . . . . . . . . . . . 56
2.25 Cấu trúc của cảm biến điện dung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 57
2.26 Nguyên mẫu của cảm biến: a) Nhìn từ dưới lên; b) Nhìn từ trên xuống58
2.27 Thiết lập thực hiện phép đo góc nghiêng . . . . . . . . . . . . . . . . . 59
2.28 Sơ đồ khối của mạch đo góc nghiêng . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 59
2.29 Mối quan hệ giữa điện áp ra và góc nghiêng theo trục x và trục y . . 60
2.30 Mối quan hệ giữa điện áp ra và góc nghiêng theo trục x và trục y
trong dải −700 đến +700 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60
3.1 Cấu trúc cảm biến phát hiện độ dẫn điện bằng điện dung vi sai
của cặp tụ không tiếp xúc đồng phẳng (D − C4D). . . . . . . . . . . . 69
3.2 Sơ đồ cấu trúc của C4D. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 70
3.3 Sơ đồ cấu trúc và mạch tương đương của cấu trúc DC4D. . . . . . . . 71
DANH SÁCH HÌNH VẼ
x
3.4 Cấu trúc đề xuất chip vi lỏng: a) Mặt trên; b) Mặt cắt ngang; c)
Kích thước của các điện cực và kênh dẫn. . . . . . . . . . . . . . . . . 73
3.5 Quy trình chế tạo chip DC4D: a) Tạo khuôn; b) Ủ nhiệt; c) Dỡ
khuôn; d) Làm lắng đọng; e) Loại bỏ phần thừa; f) Lắng đọng lớp
cách ly; g) Kích hoạt bề mặt; h) Hàn gắn chip. . . . . . . . . . . . . . 73
3.6 Thiết lập hệ thống đo thực nghiệm. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 75
3.7 Thiết lập hệ đo thực tế. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 75
3.8 Hình ảnh nguyên mẫu chip vi lỏng sau khi được chế tạo. . . . . . . . 76
3.9 Chip vi lỏng được tích hợp bởi cấu trúc DC4D . . . . . . . . . . . . . 77
3.10 Điện dung thay đổi theo vị trí của vi hạt trong kênh dẫn. . . . . . . . 77
3.11 Điện dung thay đổi theo bán kính của vi hạt trong kênh dẫn. . . . . 78
3.12 Mối quan hệ giữa điện dung và chiều dài của bong bóng khí. . . . . . 79
3.13 Mối quan hệ giữa điện dung và độ dày lớp bảo vệ. . . . . . . . . . . . 79
3.14 Hình ảnh thu được của tế bào sống khi đi qua chip vi lỏng . . . . . . 80
3.15 Phác họa của thiết bị vi lỏng cho các thao tác tế bào mục tiêu và
phát hiện mục tiêu. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 86
3.16 Sơ đồ vi mạch của cấu trúc. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 88
3.17 Kết quả mô phỏng của bình phương điện trường (E2). . . . . . . . . . 90
3.18 Kết quả mô phỏng về sự dịch chuyển của các tế bào HeLa trong
mẫu máu dưới sự tác động của điện trường bước (16V đỉnh-đỉnh;
1MHz). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 91
3.19 Phân phối của cường độ điện trường giữa điện cực cảm biến trái
và điện cực trung tâm khi một tế bào HeLa được đặt tại các điện
cực chụp. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 92
3.20 Mối quan hệ giữa điện dung vi sai và số lượng tế bào nhận biết
được. Trục x là số lượng tế bào, trục y là giá trị điện dung vi sai. . . 93
Danh sách bảng
1.1 Tóm tắt đặc điểm của một số cảm biến nghiêng . . . . . . . . . . . . 16
2.1 Thông số của cấu trúc cảm biến . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 33
2.2 Thông số của cảm biến được sử dụng trong mô phỏng cấu trúc . . . . 36
2.3 Các thông số của cảm biến nghiêng hai trục . . . . . . . . . . . . . . 57
3.1 Thông số của cấu trúc . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 74
3.2 Thông số của cảm biến được sử dụng trong mô phỏng cấu trúc . . . . 88
3.3 Các đặc tính của tế bào hồng cầu và tế bào HeLa . . . . . . . . . . . 89
Danh mục viết tắt
Từ
tắt
2D
viết Nghĩa tiếng Anh
Nghĩa tiếng Việt
2 Dimensional
3 Dimensional
2 chiều
3 chiều
3D
C4D
Capacitively Coupled Contactless Phát hiện độ dẫn điện bằng cặp tụ
Conductivity Detection không tiếp xúc
DC4D
Differential Capacitively Coupled Phát hiện độ dẫn điện bằng cặp tụ
Contactless Conductivity Detection vi sai không tiếp xúc
FEM
Finite Element Method
Phương pháp phần tử hữu hạn
Energy Truyền năng lượng cộng hưởng
huỳnh quang
FRET
Fluorescent
Transfer
Resonance
GFP
GS
Green Fluorescent Protein
Glass Subtracte
Protein huỳnh quang màu xanh lá
Đế thủy tinh
ITO
Indium Tin Oxide
Lab on chip
Vật liệu oxit bán dẫn
LOC
MEMS
NMR
PCB
SPR
YFP
Phòng thí nghiệm trên chip
Microelectromechanical Systems
Nuclear Magnetic Resonance
Printed Circuit Board
Hệ thống vi cơ điện tử
Cộng hưởng từ hạt nhân
Bản mạch in
Surface Plasmon Resonance
Yellow Fluorescent Protein
Cộng hưởng Plasmon bề mặt
Protein huỳnh quang màu vàng
Chương 1
Tổng quan về vấn đề
nghiên cứu
1.1 Mở đầu
Hiện nay, cảm biến điện dung được sử dụng rộng rãi với nhiều ứng dụng khác
nhau trong các lĩnh vực xây dựng, chế tạo máy, robot, an ninh quốc phòng...
Nhiều cấu trúc của cảm biến điện dung dựa trên nhiều nguyên lý khác nhau với
nhiều ứng dụng khác nhau đã được thiết kế, chế tạo và thương mại hóa. Cùng
với sự phát triển của công nghệ vi cơ điện tử (MEMs), cảm biến điện dung dựa
trên công nghệ này cũng được phát triển và có nhiều ứng dụng trong khoa học
công nghệ cũng như trong đời sống. Các loại cảm biến điện dung dựa trên công
nghệ MEMs có cấu trúc tinh tế, nhỏ gọn...
Cảm biến điện dung có thể phát hiện và đo liên tiếp những vật dẫn điện hoặc
những vật có chất điện môi khác với không khí. Ví dụ như ta có thể nhận biết
được sự thay đổi mức chất lỏng giữa hai cảm biến bằng cách theo dõi sự thay
đổi vật liệu chất điện môi. Sự thay đổi chất điện môi sẽ gây ra sự thay đổi giá
trị điện dung của cảm biến.
1.2 Nguyên tắc hoạt động cơ bản của cảm biến điện dung
4
1.2 Nguyên tắc hoạt động cơ bản của cảm biến
điện dung
Tụ điện là linh kiện dùng để lưu trữ điện tích. Một tụ điện lý tưởng có điện
tích ở bản cực song song (hình 1.1) tỉ lệ thuận với điện áp đặt trên nó theo công
thức:
Q = C × V [C]
(1.1)
Trong đó, C là điện dung của tụ điện có giá trị bằng:
ꢀr × ꢀ0 × A
C =
(1.2)
d
Trong đó:
ꢀr là hằng số điện môi tương đối của chất điện môi.
ꢀ0 là hằng số điện môi tuyệt đối của không khí hay chân không (8.85 ×10−12).
A là diện tích hữu dụng của bản cực (W × L)[m2].
d là khoảng cách giữa 2 bản cực song song [m].
Hình 1.1: Tụ điện song song
Hai bản cực song song của một tụ điện có điện tích bằng nhau nhưng ngược
hướng và các điện tích trải đều trên bề mặt của các bản cực. Các đường sức
từ xuất phát từ bản cực có điện áp cao hơn và kết thúc ở bản cực có điện áp
thấp hơn. Phương trình (1.2) đã bỏ qua hiệu ứng ’rìa’ do sự phức tạp của mô
hình hóa sao cho điện trường trong tụ điện trên hầu hết tiết diện là đồng nhất.
Hiệu ứng viền xảy ra gần các cạnh của các tấm, và tùy thuộc vào ứng dụng, có
1.2 Nguyên tắc hoạt động cơ bản của cảm biến điện dung
5
thể ảnh hưởng đến độ chính xác của các phép đo từ hệ thống. Mật độ của các
đường sức từ trong vùng rìa nhỏ hơn phần diện tích trực tiếp bên dưới các bản
cực vì cường độ trường tỷ lệ thuận với mật độ của các đường đẳng thế. Điều
này dẫn đến cường độ điện trường yếu hơn ở vùng rìa và có đóng góp nhỏ hơn
so với tổng điện dung đo được. Hình 1.2 hiển thị đường sức từ của một tụ điện
có hai bản cực song song.
Hình 1.2: Trường điện từ của tụ điện với bản cực song song.
Nguyên lý hoạt động cơ bản của cảm biến điện dung là nó chuyển đổi sự
thay đổi vị trí hoặc tính chất của vật liệu điện môi thành tín hiệu điện.
Cảm biến điện dung được nhận ra bằng cách thay đổi bất kỳ một trong ba
tham số của tụ điện: khoảng cách giữa các bản cực (d), diện tích của các tấm
điện dung (A) và hằng số điện môi (ꢀr). Theo nguyên tắc này, các loại cảm biến
khác nhau đã được phát triển.
Các loại cảm biến điện dung có giá trị điện dung thay đổi theo sự thay đổi
khoảng cách thường hiệu quả đối với các phép đo khoảng cách ngắn. Khi khoảng
cách tăng thì độ nhạy giảm một cách đáng kể.
Cảm biến điện dung có giá trị điện dung thay đổi theo sự thay đổi của diện
tích bề mặt tác động thì có thể được hoạt động trong phạm vi đo rộng.
Cảm biến điện dung có giá trị điện dung thay đổi theo sự thay đổi hằng số
1.3 Cảm biến điện dung đơn
6
điện môi thì có độ chính xác bị hạn chế vì hằng số điện môi có thể phụ thuộc
vào nhiệt độ, phụ thuộc vào tính không đồng nhất hoặc dị hướng đối với một số
vật liệu nhất định. Cảm biến kiểu này có thể được sử dụng để xem xét đặc trưng
của chất điện môi hoặc vị trí mặt phân cách giữa chất lỏng-chất lỏng (nước-dầu,
nước-xăng...), chất lỏng-chất khí (nước-không khí, xăng-không khí, ...).
1.3 Cảm biến điện dung đơn
Các cảm biến điện dung đơn là một tụ điện phẳng hoặc hình trụ có một bản
cực cố định và một bản cực di chuyển liên kết với vật cần đo. Dưới tác động của
đại lượng đo, bản cực động di chuyển thẳng dọc trục, diện tích giữa các bản cực
thay đổi kéo theo sự thay đổi điện dung của tụ điện.
Xét trường hợp tụ điện phẳng, từ công thức 1.2, ta có:
ꢀ × A
C =
(1.3)
(1.4)
d
∂C
∂ꢀ
∂C
∂C
∂d
dC =
Đưa về dạng sai phân:
.dꢀ +
.dA +
.dd
∂A
A
ꢀ
ꢀA
(d + ∆d)2
∆C = .∆ꢀ + .∆A −
.∆d
(1.5)
d
d
Khi khoảng cách giữa hai bản cực thay đổi (ꢀ = const và A = const), độ nhạy
của cảm biến được tính [36]:
∆C
∆d
ꢀA
(d + ∆d)2
Sd =
= −
(1.6)
Khi diện tích bản cực thay đổi (ꢀ = const và d = const), độ nhạy của cảm
biến được tính:
1.4 Cảm biến điện dung vi sai
7
∆C
∆A
ꢀ
SA =
=
(1.7)
d
Khi hằng số điện môi thay đổi (A = const và d = const), độ nhạy của cảm
biến được tính:
∆C
∆ꢀ
A
d
Sꢀ =
=
(1.8)
Như vậy, biến thiên điện dung của cảm biến điện dung đơn là hàm tuyến
tính khi diện tích bản cực và hằng số điện môi thay đổi nhưng là phi tuyến khi
khoảng cách giữa hai bản cực thay đổi.
Để tăng độ nhạy và đặc tính tuyến tính của cảm biến, người ta sử dụng cảm
biến điện dung vi sai.
1.4 Cảm biến điện dung vi sai
Ngoài cảm biến tụ điện đơn, người ta còn sử dụng các tụ điện vi sai để có thể
nhận biết được vị trí của vật thể. Các cấu trúc cảm biến tụ điện vi sai thường
sử dụng ba điện cực [70]. Cảm biến vi sai ở trạng thái cân bằng khi điện cực
dịch chuyển được nằm chính giữa hai điện cực cố định. Khi đó điện dung của
cặp tụ điện vi sai bằng nhau. Hoặc có một biến thể của cấu trúc này là điện cực
giữa và điện cực dưới cùng cố định và điện cực ở trên cùng thì di chuyển. Dựa
vào khoảng cách giữa điện cực di chuyển và điện cực cố định, ta xác định được
giá trị điện dung.
Cặp tụ điện vi sai có ưu điểm là loại bỏ các loại nhiễu đồng pha, nó cung cấp
tín hiệu lối ra bằng 0 khi cảm biến ở vị trí cân bằng và chỉ thị độ lớn và hướng
của đại lượng vật lý tác động lên cảm biến.
Đối với cấu trúc trong hình 1.3, tụ điện vi sai có đáp ứng tuyến tính tại thời
điểm cân bằng. Điện áp đặt vào điện cực trên cùng và dưới cùng lần lượt là +Vs
và −Vs. Điện áp lối ra có giá trị là:
1.4 Cảm biến điện dung vi sai
8
Hình 1.3: Mạch điện điển hình của tụ điện vi sai.
C1
C1 − C2
C1 + C2
V0 = −Vs +
(2Vs) =
Vs
(1.9)
C1 + C2
1.4.1 Phương pháp đo điện dung
Có rất nhiều cấu trúc mạch được sử dụng để đo điện dung, nhưng đều xuất
phát từ mối quan hệ giữa điện áp và điện tích trên tụ. Giả sử mối quan hệ này
là tuyến tính (bỏ qua phi tuyến của chất điện môi), nhưng giá trị điện dung của
tụ điện vẫn phụ thuộc vào khoảng cách. Viết lại công thức 1.1 ta được:
Q = C(x)V
(1.10)
trong đó, Q là điện tích của tụ điện, V điện áp đặt trên tụ, C(x) là điện dung,
giá trị điện dung này phụ thuộc vào một hay nhiều tọa độ dịch chuyển. Do vậy,
dòng điện trong tụ là đạo hàm của điện tích theo thời gian:
dV
dt
∂C dx
∂x dt
iC = C(x)
+ V
(1.11)
trong đó đạo hàm riêng theo biến x được lấy trong trường hợp giá trị điện
dung phụ thuộc nhiều hơn một tọa độ dịch chuyển.
Hình 1.4 là một mạch điện đơn giản được dùng để đo điện dung. Trong đó
1.4 Cảm biến điện dung vi sai
9
C(x) là điện dung cảm biến, CP là điện dung ký sinh (do có sự kết nối giữa cảm
biến và bộ khuếch đại nên luôn tồn tại điện dung ký sinh).
Hình 1.4: Mạch điện sử dụng bộ khuếch đại chuyển trở kháng để phát hiện dòng
qua tụ điện.
Bộ khuếch đại chuyển trở kháng (transimpedance amplifier) được sử dụng
để phát hiện dòng đi qua tụ C(x). Ưu điểm của cấu hình này là do có điểm đất
ảo ở đầu vào bộ khuếch đại nên xuất hiện một lượng điện tích không đáng kể
trên điện dung ký sinh, điều này không làm ảnh hưởng đến kết quả phép đo. Do
vậy, điện áp đầu ra được tính là:
V0 = −RF iC
(1.12)
Nếu Vs là nguồn một chiều, thì V0 tỉ lệ với vận tốc dx/dt. Phép đo vận tốc
không tương đương với phép đo vị trí nên để xác định được vị trí ta phải dùng
phép tích phân vận tốc.
Nếu điện áp nguồn Vs có dạng hình sin thì ta có thể xác định điện dung một
cách trực tiếp. Nếu vị trí (giá trị điện dung) không thay đổi và Vs = Vs0cosωt, thì
điện áp đầu ra bộ khuếch đại là −ωVs0C(x)sinωt. Giá trị điện dung C(x) được
xác định từ biên độ của đầu ra sóng sin. Tuy nhiên, do biến x thay đổi theo thời
gian nên điện áp đầu ra tỉ lệ với dx/dt. Như vậy đầu ra sẽ chứa hai thông tin: vị
trí (thông qua C(x)) và vận tốc (thông qua dx/dt).
Nhiễu phụ thuộc vào cấu trúc của mạch, do vậy, để nhiễu có giá trị không
đáng kể thì ta phải sử dụng điện áp đủ nhỏ đặt lên cấu trúc. Thông thường, có
Tải về để xem bản đầy đủ
123 trang
18100
Free
Bạn đang xem 20 trang mẫu của tài liệu "Luận án Nghiên cứu phát triển hệ thống cảm biến điện dung ứng dụng phát hiện độ nghiêng và vi hạt", để tải tài liệu gốc về máy hãy click vào nút Download ở trên
File đính kèm:
- luan_an_nghien_cuu_phat_trien_he_thong_cam_bien_dien_dung_un.pdf
