Thế tương tác Coulomb trong lớp ba graphene

TRÖÔØNG ÑAÏI HOÏC ÑOÀNG THAÙP  
Tap chí Khoa hoc so 39 (08-2019)  
THẾ TƢƠNG TÁC COULOMB TRONG LỚP BA GRAPHENE  
Nguyen Van Men(*)  
Toùm taét  
Thế tương tác Coulomb có đóng góp đáng kể vào các đặc tính quan trọng của hệ nhiều hạt mang  
điện. Bài báo này nhằm xác định biểu thức giải tích của thế tương tác Coulomb giữa các điện tử  
trong một cấu trúc lớp được cấu tạo từ ba lớp graphene song song nhau, được ngăn cách bởi những  
lớp điện môi khác nhau bằng cách giải phương trình Poisson. Kết quả giải tích và khảo sát bằng số  
cho thấy các hàm thế Coulomb trong không gian xung lượng chịu ảnh hưởng mạnh bởi sự không  
đồng nhất của điện môi nền. Thế Coulomb xuyên lớp giảm rất nhanh theo vector sóng và khoảng  
cách giữa các lớp trong khi các thế nội lớp bị ảnh hưởng yếu hơn và phụ thuộc vào môi trường xung  
quanh các lớp graphene lân cận.  
Từ khóa: Thế tương tác Cloulomb, graphene, điện môi nền không đồng nhất.  
1. Giới thiệu  
được sử dụng để xác định các tính chất khác  
Bài toán hệ nhiều hạt tương tác là một trong trong graphene như kích thích tập thể, hệ số dẫn  
những bài toán quan trọng của vật lý hiện đại vì quang, tốc độ sóng âm… [3], [14]. Trong cấu  
việc giải bài toán loại này sẽ giúp giải quyết trúc graphene nhiều lớp có điện môi nền đồng  
được nhiều bài toán quan trọng khác, giúp xác nhất, ngoài thế tương tác Coulomb nội lớp (có  
định những đặc tính quan trọng của hệ khảo sát. dạng giống như đối với graphene đơn lớp) thì thế  
Tương tác Coulomb là loại tương tác có cường Coulomb xuyên lớp, đặc trưng cho tương tác  
độ khá lớn vì thế không thể bỏ qua trong hệ giữa các điện tử trong hai lớp khác nhau, có sự  
nhiều hạt mang điện. Đặc biệt hơn, trong các cấu xuất hiện của hàm lũy thừa âm cơ số tự nhiên  
trúc lớp thì thế Coulomb được xem là thế chủ của khoảng cách giữa hai lớp và vector sóng [4],  
yếu, nó đóng góp đáng kể vào nhiều đặc trưng cơ [15], [16]. Các hàm này giảm rất nhanh khi  
bản của cấu trúc như năng lượng trạng thái cơ khoảng cách giữa hai lớp và vector sóng tăng lên  
bản, điện trở Coulomb drag, kích thích tập thể … nhưng lại có đóng góp đáng kể đối với vùng  
Việc xác định được biểu thức tường minh của thế sóng dài và khoảng cách hai lớp nhỏ nên đã gây  
tương tác Coulomb trong hệ là cơ sở để xác định ra nhiều đặc tính mới lạ cho cấu trúc lớp đôi so  
các đặc trưng cơ bản của hệ.  
với các lớp đơn cấu thành [4], [13], [15], [16].  
Thế Coulomb bắt nguồn từ tương tác tĩnh Đối với hệ gồm hai lớp graphene được ngăn cách  
điện giữa các điện tích điểm, tuân theo định luật bởi những lớp điện môi khác nhau, biểu thức thế  
Coulomb và có biểu thức khá đơn giản đối với hệ tương tác Coulomb được xác định nhờ việc giải  
hai điện tích, đã được xác định và sử dụng từ lâu phương trình Poisson và có dạng khá phức tạp  
trong các bài toán vật lý. Tuy nhiên, đối với hệ theo vector sóng, khoảng các giữa hai lớp và đã  
gồm số rất lớn các hạt đồng nhất và phân bố tập được Badalyan các cộng sự công bố và sử dụng  
trung trong vùng không gian hẹp như trong các [1]. Sau đó, thế tương tác cho hệ loại này cũng  
cấu trúc lớp thì biểu thức của thế, cần xác định được nhóm nghiên cứu của Nguyễn Quốc Khánh  
trong không gian xung lượng cho tiện sử dụng, là sử dụng để xác định phổ kích thích tập thể và các  
không đơn giản. Vấn đề càng phức tạp hơn đối tính chất khác của lớp đôi [5], [6], [10]. Biểu  
với các hệ có chứa graphene – cấu trúc chỉ gồm thức thế tương tác Coulomb trong cấu trúc lớp  
một lớp nguyên tử với hàm phân bố là dạng hàm đôi gồm một lớp graphene và một lớp khí điện tử  
delta Dirac.  
hai chiều với điện môi nền không đồng nhất cũng  
Trong graphene đơn lớp, thế tương tác đã được tính toán và được sử dụng để tính điện  
Coulomb đã được xác định như một hàm tỷ lệ trở Coulomb drag, tần số plasmon và tốc độ phân  
nghịch với vector sóng và hằng số điện môi nền rã plasmon [7], [8], [11], [12]. Cấu trúc gồm  
trung bình bao bọc lớp graphene. Kết quả này đã  
nhiều lớp graphene đã được Zhu và các cộng sự  
nghiên cứu với điện môi nền đồng nhất [17].  
Theo tìm hiểu của tác giả, những hệ ba lớp  
(*)  
Trường Đại học An Giang.  
82  
TRÖÔØNG ÑAÏI HOÏC ÑOÀNG THAÙP  
Tap chí Khoa hoc so 39 (08-2019)  
graphene có điện môi nền không đồng nhất hiện trạng thái của các điện tử trong các lớp graphene.  
chưa thấy có công bố khoa học nào mặc dù các Các hàm này có dạng:  
2
công bố trước đây cho thấy có sự khác biệt đáng  
z z ,  
(2)  
(3)  
(4)  
1      
kể trong biểu thức thế tương tác Coulomb từ đó  
dẫn tới sự khác biệt về những đặc tính điện của hệ  
không đồng nhất so với hệ đồng nhất mang cùng  
các thông số đặc trưng [1], [5], [7], [8], [9], [11].  
Chính vì vai trò quan trọng của thế tương tác  
Coulomb và sự không đồng nhất của điện môi nền  
đối với các đặc tính của cấu trúc lớp, bài báo này  
nhằm xác định thế tương tác Coulomb cho các  
điện tử trong một cấu trúc gồm ba lớp graphene,  
được ngăn cách nhau bằng những lớp điện môi  
nền khác nhau, làm cơ sở cho việc xác định các  
đặc tính khác nữa của cấu trúc loại này. Các biểu  
thức giải tích của thế Coulomb nội lớp và xuyên  
lớp được xác định từ nghiệm của phương trình  
Poisson trong không gian xung lượng.  
2
z z d ,  
2    
2
z z 2d .  
3    
Lần lượt thay các phương trình (2), (3), (4)  
vào phương trình (1) với chú ý tính chất của hàm  
delta Dirac ta được biểu thức các thế Coulomb  
nội lớp và xuyên lớp trong không gian xung  
lượng là:  
U q  eq,0,0 ,  
11    
U22 q  eq,d,d ,  
(5)  
(6)  
(6)  
(7)  
(8)  
(9)  
   
   
U33 q  eq,2d,2d ,  
U12 q U q  eq,0,d ,  
  21    
2. Lý thuyết  
U q U q  eq,0,2d ,  
13   31    
Lớp ba graphene với hằng số điện môi nền  
không đồng nhất có cấu tạo được mô tả trên  
Hình 1. Ba lớp graphene song song nhau và song  
song với mặt phẳng Oxy, cách đều nhau một  
U23 q U q  eq,d,2d .  
   
32    
Để tìm dạng tường minh của các biểu thức  
thế tương tác này ta cần xác định dạng tường  
khoảng cách bằng d, lần lượt ở các vị trí z 0  
z d z 2d.  
,
minh của hàm q,z,z . Hàm q,z,z là ảnh  
Fourrier của hàm   ,z,z , hàm thế biểu  
thị tương tác của hai phần tử điện tích  
và  
trong không gian. Hàm  
nghiệm của phương trình  
z z  
tại các vị trí  
  ,z,z  
Poisson [13]  
(10)  
z   ,z,z 4e    z z .  
     
Hàm z là hằng số điện môi nền dọc  
   
theo trục Oz. Với hệ trên Hình 1, hàm này có thể  
xác định là  
,  
z 0  
1
,  
0 z d  
d z 2d  
z 2d  
2
z   
   
.
(11)  
3,  
4 ,  
Hình 1. Lớp ba graphene với bốn lớp điện môi có  
hằng số điện môi khác nhau  
Sử dụng phép biến đổi Fourier cho hàm  
ta dẫn tới phương trình [13]  
Thế tương tác Coulomb trong không gian  
xung lượng được xác định bằng biểu thức [13]:  
dq,z,z  
d
2
(12)  
z  
   
z q q,z,z 4ez z .  
   
2
dz  
dz  
(1)  
Uij q z  
  i   j    
   
  
  
Giải phương trình (12) với hàm z xác  
   
định từ phương trình (11) ta thu được hàm  
với i, j 1,2,3 là các chỉ số cho từng lớp  
graphene. Các hàm i, j là hàm sóng xác định  
z
   
ứng với các trường hợp khác nhau rồi lần lượt  
83  
TRÖÔØNG ÑAÏI HOÏC ÑOÀNG THAÙP  
Tap chí Khoa hoc so 39 (08-2019)  
thay vào các phương trình (5)-(9) ta sẽ thu được  
biểu thức thế tương tác Coulomb.  
C C C  
C2eqd C3eqd C4eqd C5eqd  
1
2
3
3. Kết quvà tho lun  
Việc xác định nghiệm của phương trình (12)  
2qd  
C4e C5e2qd C6e2qd  
(16)  
.
chỉ nhằm mục đích tìm thế tương tác U q  
2C2 2C3 1C1  
ij    
qd  
C e C5eqd C eqd C3eqd  
trong các phương trình (5)-(9) nên ta chỉ cần tìm  
3   
2   
4
2
nghiệm ứng với ba trường hợp sau:  
2qd  
4C6e  
C e2qd C5e2qd q 4e  
3
  
Trường hp 1 ( z 0, ng với các điện  
4
ttrong lp graphene 1): nghim ca (12) là:  
Giải hệ các phương trình (14)-(16) để được  
các hệ số A ,B ,Ci  
qz  
Ae ,  
z 0  
(
i 1,2,...,6) rồi thay vào  
1
i
i
A eqz A eqz  
A eqz A eqz  
A eqz  
,
,
0 z d  
d z 2d  
z 2d  
biểu thức của hàm . Biểu thức thế tương tác  
(5)-(9) có thể viết lại thành:  
2
3
q, z,0   
. (13)  
4
5
U q  eA ,  
11    
(17)  
1
,
6
U22 q  e B eqd B eqd  
,
(18)  
   
2
3
Để xác định các hằng số A A trong  
1
6
U33 q  eC e2qd  
,
(19)  
(20)  
(21)  
phương trình (13), ta sử dụng điều kiện liên tục  
của hàm , của đạo hàm hàm và gián đoạn  
hữu hạn của đạo hàm hàm tại z z 0 [2]:  
   
6
U12 q U q  eB ,  
  21    
1
U13 q U q  eC ,  
  31    
1
A A A  
1
2
3
U23 q U q  e C eqd C eqd  
.
(22)  
  32    
A2eqd A eqd A4eqd A eqd  
2
3
3
5
Các tính toán chi tiết cho thấy, biểu thức thế  
Coulomb cho lớp ba graphene có dạng:  
2qd  
A4e A e2qd A e2qd  
5
6
.
(14)  
2e2  
q
A A A q 4e  
1   
2
2
2
3
1
U q   
ij    
f q ,  
ij    
(23)  
2 A eqd A eqd A eqd A eqd  
3
  
3   
2
3
4
5
trong đó:  
A e A e2qd  A e2qd  
2
2 3  
3 4 2  
2 3 e2qd 2 3  
3 4 e4qd  
2qd  
  
3   
  
,(24)  
q   
4
5
4
6
f11  
N
qd  
8e2qd cosh qd sinh qd cosh qd sinh qd   
Hệ các phương trình (14) cho phép ta xác  
N
1
2
3
4
  
qd  
(25)  
f22  
q
,
định các hệ số  
A
của hàm thế q .  
   
i
2
2 3  
2 1 2  
3 2 e2qd   
2 3 e4qd  
(26)  
,
2   
qd  
2   
1
+ Trường hợp 2 và 3 ( z d z 2d,  
ứng với các điện tử trong lớp graphen thứ hai  
và thứ ba): dạng nghiệm cũng giống như (13)  
nhưng hệ các phương trình xác định hệ số  
(thay vì A ta ký hiệu là B và C) có khác do đạo  
hàm gián đoạn tại z d z 2d [2]:  
f33  
q
N
82e2qd cosh qd sinh qd  
,
3
4
(27)  
(28)  
f12 q f q   
  21    
N qd  
823e2qd  
f13 q f q   
,
   
31    
N qd  
83e2qd cosh qd sinh qd  
B B B  
2
1
. (29)  
(30)  
1
2
3
f32 q f q   
  23    
N qd  
B2eqd B3eqd B4eqd B5eqd  
B4e2qd B5e2qd B6e2qd  
Với  
(15)  
N x   
2 3  
3 4 2e2x  
2 3  3 24  
   
2   
  
1
1
.
2B2 2B3 1B  
1
e4x   
2 3  
3 4  
.
2   
  
1
3 B eqd B5eqd B eqd B3eqd q 4e  
2   
Các biểu thức tương tự cho lớp đôi  
graphene đã được Badalyan và Peeters công bố  
[1]. Thế tương tác Coulomb nội lớp (intra-layer),  
được xác định từ các biểu thức (24)-(26), bị ảnh  
hưởng bởi hằng số điện môi của môi trường  
4
2
3 B e2qd B5e2qd  B e2qd  
4
4
6
Và  
84  
TRÖÔØNG ÑAÏI HOÏC ÑOÀNG THAÙP  
xung quanh các lớp graphene lân cận và không hai giá trị khoảng cách lớp khác nhau  
Tap chí Khoa hoc so 39 (08-2019)  
chịu ảnh hưởng nhiều bởi vector sóng q và  
khoảng cách giữa hai lớp d (do tử số và mẫu số  
chứa lũy thừa cơ số tự nhiên cùng bậc). Trong  
khi đó, thế tương tác Coulomb xuyên lớp (inter-  
layer) bị ảnh hưởng mạnh bởi tích qd (do chứa  
thừa số lũy thừa cơ số tự nhiên ở mẫu số có bậc  
lớn hơn so với ở tử số) như có thể nhận thấy từ  
các biểu thức (27)-(29).  
d 20 nm d 50 nm. Kết quả cho thấy, ở  
hai khoảng cách lớp khác nhau, đồ thị các hàm  
U q nằm gần nhau trong khi đồ thị các hàm  
ii    
U q tách làm hai nhóm rõ rệt. Điều này chứng  
ij    
tỏ các hàm thế U q phụ thuộc mạnh hơn vào  
ij    
khoảng cách lớp so với các hàm U q như đã  
ii    
nhận định từ các biểu thức giải tích.  
Đối với hệ có điện môi nền đồng nhất, ta  
thay 1 2 3 4 vào các biểu thức  
(23)-(30) và thu được:  
2e2  
U q   
eij qd  
.
(31)  
ij    
q  
Hình 2. Thế tƣơng tác Coulomb nội lp (a) và xuyên  
lp (b) trong lp ba graphene với điện môi nn  
không đồng nht. Các tham ssdng là  
Biểu thức (31) là thế tương tác Coulomb đã  
được Zhu và các cộng sự sử dụng để tính phổ  
kích thích tập thể cho hệ gồm nhiều lớp graphene  
có điện môi nền đồng nhất [17]. Để có được  
những so sánh chi tiết hơn, Hình 4 vẽ đồ thị các  
hàm thế với điện môi nền đồng nhất và không  
đồng nhất. Hệ đồng nhất sử dụng hằng số điện  
môi nền là trung bình của hằng số điện môi hai  
lớp xung quanh hệ (/ 2 2,4).  
d 20 nm  
2 3 Al O 9,1  
, , ,  
n 1011 cm2  
1 SiO 3,8  
3
,
4 air 1,0  
2
3
Hình 2 biểu diễn các hàm thế tương tác như  
một hàm theo vector sóng q. Trong hình vẽ,  
U0 2e2 kF là vector sóng Fermi của  
4   
1
graphene,  
Các hằng số điện môi nền được sử dụng là  
1 SiO 3,8, 2 3 Al O 9,1,  
n là mật độ hạt tải trong graphene.  
2
2
3
4 air 1,0 [13]. Các Hình 2(a) và 2(b) cho  
thấy, các thế tương tác nội lớp có giá trị lớn hơn  
đáng kể so với thế tương tác xuyên lớp ở cùng  
một giá trị vector sóng, khoảng cách lớp và mật  
độ hạt tải.  
Hình 4. Thế tƣơng tác Coulomb nội lp (a) và xuyên  
lp (b) trong lp ba graphene với điện môi nền đồng  
nhất và không đồng nht. Các tham ssdng là  
d 20 nm, n 1011 cm2, 1 SiO 3,8,  
3
2 3 Al O 9,1, 4 air 1,0. Hệ đồng nht  
2
3
so sánh có hng số điện môi trung bình bng  
/ 2 2,4  
4   
1
Hình 4(a) cho thấy, đối với hệ đồng nhất,  
thế Coulomb nội lớp trong mỗi lớp graphene là  
như nhau được biểu diễn bằng đường liền nét  
đậm. Trong khi đó, các hàm này có giá trị khác  
nhau đáng kể đối với hệ không đồng nhất do  
chúng phụ thuộc khác nhau vào các hằng số điện  
môi của môi trường. Sự khác biệt xảy ra nhiều  
Hình 3. Thế tƣơng tác Coulomb nội lp (a) và xuyên  
lp (b) trong lp ba graphene với điện môi nn  
không đồng nht. Các tham ssdng là  
d 20 nm d 50 nm  
1 SiO 3,8, 2 3 Al O 9,1,  
,
n 1011 cm2,  
3
2
3
4 air 1,0  
Để tìm hiểu kỹ hơn ảnh hưởng của khoảng  
cách giữa các lớp đối với các thế Coulomb đã  
tìm được, Hình 3(a) và 3(b) vẽ các thế này với  
nhất đối với thế U22  
q do lớp graphene 2 nằm  
   
cách xa hai lớp điện môi bao bọc hệ (1 4  
)
85  
TRÖÔØNG ÑAÏI HOÏC ÑOÀNG THAÙP  
Tap chí Khoa hoc so 39 (08-2019)  
nhất. Hình 4(b) cho thấy các thế tương tác trị khác nhau nhiều đối với từng lớp graphene và  
Coulomb xuyên lớp trong hệ không đồng nhất có ít chịu tác động bởi khoảng cách giữa các lớp.  
giá trị không khác nhau nhiều. Trong hệ đồng Trong khi đó, các thế Coulomb xuyên lớp giảm  
nhanh theo vector sóng và khoảng cách giữa các  
lớp. Cả thế tương tác nội lớp và xuyên lớp bị ảnh  
hưởng đáng kể bởi sự không đồng nhất của hằng  
số điện môi nền trong hệ. Các kết quả giải tích về  
thế Coulomb trong bài báo này có thể sử dụng để  
khảo sát những đặc tính quan trọng khác như  
điện trở Coulomb drag, tính chất vận chuyển  
hoặc phổ kích thích tập thể của hệ.  
nhất, các hàm U12  
q U23 q có cùng giá trị  
   
   
(đường liền nét đậm) trong khi thế U13  
q
   
nhận  
giá trị nhỏ hơn nhiều và giảm nhanh hơn theo  
vector sóng (đường chấm gạch).  
4. Kết lun  
Bài báo đã sử dụng phương trình Poisson để  
tìm biểu thức giải tích của thế tương tác  
Coulomb nội lớp và xuyên lớp trong không gian  
xung lượng của một cấu trúc gồm ba lớp  
graphene được ngăn cách bởi những lớp điện  
môi nền khác nhau. Kết quả tính toán cho thấy  
các thế tương tác nội lớp bị tác động bởi điện  
môi bao bọc các lớp graphene lân cận, nhận giá  
Lời cảm ơn  
Nghiên cứu này được tài trợ bởi Quỹ Phát  
triển khoa học và công nghệ Quốc gia  
(NAFOSTED) trong đề tài mã số 103.01-  
2017.23./.  
Tài liệu tham khảo  
[1]. Badalyan, S. M. and Peeters, F. M. (2012), “Effect of nonhomogenous dielectric background  
on the plasmon modes in graphene double-layer structures at finite temperatures”, Physical Review B,  
(85), p. 195444.  
[2]. Chow T. (2003), Mathematical Methods for Physicists: A concise introduction, Cambridge  
University Press, Virtual Publishing.  
[3]. Hwang, E. H. and Sarma, S. D. (2007), “Dielectric function, screening, and plasmons in 2D  
graphene”, Physical Review B, (75), p. 205418.  
[4]. Hwang, E. H. and Sarma, S. D. (2009), “Exotic plasmon modes of double layer graphene”,  
Phys. Rev. B, (80), p. 205405.  
[5]. Nguyen Quoc Khanh and Nguyen Van Men (2018), “Plasmon modes in bilayer-monolayer  
graphene heterostructures”, Physica Status Solidi (b), https://doi.org/10.1002/pssb.201700656.  
[6]. Dang Khanh Linh and Nguyen Quoc Khanh (2018), “Electrical conductivity of bilayer-  
graphene double layers at finite temperature”, Superlattices and Microstructures, (114), p. 406-415.  
[7]. Nguyen Van Men and Nguyen Quoc Khanh (2018), “Plasmon modes in Dirac/Schrödinger  
hybrid electron systems including layer-thickness and exchange-correlation effects”, Canadian  
Journal of Physics, (96), p.615-621, dx.doi.org/10.1139/cjp-2017-0542.  
[8]. Nguyen Van Men and Nguyen Quoc Khanh (2017), “Plasmon modes in graphene-GaAs  
heterostructures”, Physics Letters A, (381), p. 3779.  
[9]. Nguyen Van Men, Nguyen Quoc Khanh and Dong Thi Kim Phuong (2019), “Plasmon  
modes in MLG-2DEG heterostructures: Temperature effects”, Physics Letters A, (383), p. 1364-1370.  
[10]. Nguyen Van Men, Nguyen Quoc Khanh and Dong Thi Kim Phuong (2019), “Plasmon  
modes in double bilayer graphene heterostructures”, Solid State Communications, (294), p. 43-48.  
[11]. Nguyen Van Men and Dong Thi Kim Phuong (2018), “Plasmon modes in bilayer-graphene  
- GaAs heterostructures including layer-thickness and exchange-correlation effects”, International  
Journal of Modern Physics B, 32(23), p. 1850256.  
[12]. Principi, A., Carrega, M., Asgari, R., Pellegrini, V., and Polini, M. (2012) “Plasmons and  
Coulomb drag in Dirac/Schrödinger hybrid electron systems”, Physical Review B, (86), p. 085421.  
86  
TRÖÔØNG ÑAÏI HOÏC ÑOÀNG THAÙP  
Tap chí Khoa hoc so 39 (08-2019)  
[13]. Scharf, B. and Matos-Abiague, A. (2012), “Coulomb drag between massless and massive  
fermions”, Physical Review B, (86), p. 115425.  
[14]. Hồ Sỹ Tá (2017), Các đặc trưng plasmon và tính chất động lực học của hệ điện tử trong  
graphene, Luận án tiến sĩ, Trường Đại học Bách khoa Hà Nội, Việt Nam.  
[15]. Dinh Van Tuan and Nguyen Quoc Khanh (2013), “Plasmon modes of double-layer  
graphene at finite temperature”, Physica E, (54), p. 267-272.  
[16]. Vazifehshenas, T., Amlaki, T., Farmanbar, M., and Parhizgar, F. (2010), “Temperature effect  
on plasmon dispersions in double-layer graphene systems”, Physics Letters A, (374), p. 4899-4903.  
[17]. Zhu J. J., Badalyan S. M., Peeters F. M. (2013), “Plasmonic excitations in Coulomb  
coupled N-layer graphene structures”, Physical Review B, (87), p. 085401.  
COULOMB BARE INTERACTION IN THREE-LAYER GRAPHENE  
Summary  
The Coulomb bare interaction has significant contributions to important characters of charged  
multibody systems. This paper is to determine the analytical expressions for Coulomb interactions  
between electrons in a structure made up of three parallel monolayer graphene sheets, separated by  
different dielectric layers via solving Poisson equations. Analytical and numerical results show that  
Coulomb potential functions in momentum space are affected strongly by the inhomogeneity of  
dielectric background. Inter-layer Coulomb potentials decrease remarkably with an increase in wave  
vector q and separated distance d, while intra-layer ones are only weak functions of q and d, and  
depend on the environment around other graphene sheets.  
Keywords: Coulomb bare interaction, graphene, inhomogeneous background dielectric.  
Ngày nhận bài: 26/3/2019; Ngày nhận lại: 11/7/2019; Ngày duyệt đăng: 15/7/2019.  
87  
pdf 6 trang yennguyen 18/04/2022 1940
Bạn đang xem tài liệu "Thế tương tác Coulomb trong lớp ba graphene", để tải tài liệu gốc về máy hãy click vào nút Download ở trên

File đính kèm:

  • pdfthe_tuong_tac_coulomb_trong_lop_ba_graphene.pdf