Chế tạo và đặc trưng nhạy khí H₂S của vật liệu V₂O₅ cấu trúc nano

JST: Engineering and Technology for Sustainable Development  
Vol. 1, Issue 2, April 2021, 115-118  
Chế tạo và đặc trưng nhạy khí H2S của vật liệu V2O5 cấu trúc nano  
Synthesis and H2S Gas Sensing Characteritics of Nanostructured V2O5  
Đỗ Quang Đạt1, Nguyễn Thị Lan Phương1, Võ Thị Lan Phương1, Phạm Thị Ngà1,  
Lại Văn Duy2, Lâm Văn Năng1*, Nguyễn Văn Duy2, Nguyễn Đức Hòa2*  
1Khoa Tự nhiên, Trường Đại học Hoa Lư, Ninh Nhất, Ninh Bình, Việt Nam  
2Viện Đào tạo Quốc tế về Khoa học Vật liệu (ITIMS), Trường Đại học Bách Khoa Hà Nội, Hà Nội, Việt Nam  
Tóm tắt  
Trong nghiên cứu này, vật liệu nano V2O5 đã được tổng hợp thành công bằng phương pháp thủy nhiệt và  
ứng dụng thử nghiệm cho chế tạo cảm biến phát hiện khí độc H2S. Kết quả ảnh SEM cho thấy vật liệu có  
hình dạng các tấm nano với kích thước không đồng đều vào khoảng 100-500 nm. Giản đồ nhiễu xạ tia X  
cho thấy vật liệu thể hiện các đỉnh nhiễu xạ đặc trưng của pha tinh thể Orthorhombic đơn pha V2O5. Kết quả  
khảo sát tính chất nhạy khí cho thấy vật liệu có khả năng đáp ứng với khí H2S ở nồng độ thấp (2.5-20 ppm)  
với thời gian đáp ứng và hồi phục tương đối nhanh. Nghiên cứu này chứng tỏ tiềm năng ứng dụng của vật  
liệu V2O5 trong cảm biến khí H2S.  
Từ khóa: V2O5, cảm biến, khí H2S, thuỷ nhiệt.  
Abstract  
In this study, V2O5 nanomaterials were successfully synthesized by a facile hydrothermal method and tested  
for application in preparing toxic H2S gas sensor. SEM image shows that the material has the shape of  
nanoplates with different sizes ranging from 100 to 500 nm. The XRD pattern shows that the material has a  
single phase of Orthorhombic crystal of V2O5. The results of the gas sensitivity survey show that the material  
respond well to H2S at low concentrations (2.5-20 ppm) with relatively fast response and recovery time. This  
study demonstrates the potential of application of V2O5 material in H2S gas sensors.  
Keywords: V2O5, gas sensor, H2S, hydrothermal.  
1. Giới thiệu1  
H2S là một loại khí độc không màu, mùi trứng  
đã được nhiều nhóm nghiên cứu cho các ứng dụng  
khác nhau như: Làm vật liệu catốt dung lượng cao  
cho pin ion-kẽm [8], siêu tụ [9], cảm biến khí [10],  
quang xúc tác [11] và pin mặt trời [12]. Các nghiên  
cứu về cảm biến khí trên cơ sở vật liệu V2O5 đã cho  
thấy triển vọng ứng dụng của vật liệu này để phát  
hiện đa dạng các loại khí như NO2, NH3, Xylen  
[10,13]. Tuy vậy, nghiên cứu về tính chất nhạy khí  
H2S của vật liệu V2O5 hiện nay còn hạn chế.  
thối, nặng hơn không khí, và là nguồn gây ô nhiễm  
không khí ở các hồ ao, sông ngòi của Hà Nội. Các  
nguồn chính của khí H2S là từ sự phân rã của các vật  
liệu hữu cơ, khí tự nhiên, khí núi lửa, dầu mỏ, nước  
thải và các mỏ lưu huỳnh [1,2]. Tiếp xúc với khí H2S  
có thể gây tác hại đến sức khỏe con người như đau  
đầu, hôn mê, co giật và thậm chí tử vong [3,4]. Do  
đó, nghiên cứu phát triển các loại cảm biến để phát  
hiện sự tồn tại của khí H2S nhằm giúp con người  
phòng, tránh được những tác hại của nó là thực sự  
cần thiết, và hiện nay đang thu hút sự quan tâm mạnh  
mẽ của các nhà nghiên cứu [5].  
Trong nghiên cứu này, chúng tôi trình bày các  
kết quả nghiên cứu chế tạo và đặc trưng nhạy khí  
H2S của vật liệu nano V2O5 được tổng hợp bằng  
phương pháp thủy nhiệt. Các kết quả nghiên cứu cho  
thấy vật liệu nano V2O phù hợp trong ứng dụng phát  
triển cảm biến phát hiện khí H2S trong khoảng nồng  
độ thấp từ 1-10 ppm, đáp ứng yêu cầu trong quan trắc  
khí độc H2S ở các trang trại chăn nuôi v.v.  
Vanadi là một kim loại chuyển tiếp, tồn tại rất  
phong phú trong vỏ Trái đất. Ở dạng ô-xít nó thể  
hiện với đa dạng các trạng thái ô-xy hoá, từ 2+ đến 5+,  
bao gồm VO, V2O3, VO2, V2O5 [6]. Trong số những  
dạng ô-xít này, V2O5 là trạng thái bão hoà ô-xy, có  
nhiều tính chất đặc biệt như: năng lượng vùng cấm  
nhỏ (khoảng 2,3 eV), là chất khá bền với các tác nhân  
hoá học và nhiệt độ [7]. Gần đây vật liệu nano V2O5  
2. Thực nghiệm  
2.1. Chế tạo vật liệu nano V2O5  
Vật liệu V2O5 đã được chúng tôi chế tạo bằng  
phương pháp thuỷ nhiệt, quy trình cụ thể như sau:  
0,585 g (5,0 mmol) NH4VO3.5H2O và 0,315 g  
(2,5 mmol) C2H2O4.2H2O hòa tan hoàn toàn trong  
100 ml nước khử ion bằng máy khuấy từ gia nhiệt.  
Hỗn hợp thu được được đưa vào bình thủy nhiệt  
ISSN: 2734-9381  
https://doi.org/10.51316/jst.149.etsd.2021.1.2.19  
Received: June 17, 2020; accepted: September 03, 2020  
115  
 
JST: Engineering and Technology for Sustainable Development  
Vol. 1, Issue 2, April 2021, 115-118  
Hình 1. Giản đồ nhiễu xạ tia X của vật liệu nano V2O5 Hình 2. Ảnh SEM của vật liệu nano V2O5  
chế tạo được  
(100 ml) và tiến hành ủ trong thời gian 6h ở nhiệt độ  
150oC. Sản phẩm kết tủa thu được được rửa nhiều lần  
bằng nước khử ion và cồn, sau đó tiến hành quay ly  
tâm với tốc độ 5000 rpm và đem sấy khô trong tủ sấy  
ở 60oC qua đêm. Tiếp theo, sản phẩm kết tủa được  
đem nung trong lò nung ở 500oC trong 1h để thu  
được vật liệu nano V2O5. Hình thái bề mặt và tính  
chất của vật liệu V2O5 được nghiên cứu bởi kính hiển  
vi điện tử quét (SEM, S-4800, Hitachi), giản đồ nhiễu  
xạ tia X (XRD-D8 ADVANCE, Bruker).  
Hình 2 là ảnh SEM của vật liệu V2O5 chế tạo  
bằng phương pháp thủy nhiệt thu được sau khi xử lý  
nhiệt ở 500oC/1h. Trên ảnh chúng ta có thể quan sát  
thấy các cấu trúc nano với dạng tấm. Chiều dài trung  
bình của các tấm vào khoảng 0,5 đến 1 µm. Các tấm  
chiều rộng nhỏ hơn vào khoảng 100 đến 500 nm.  
Các tấm nano tách rời và định hướng khác nhau trong  
không gian.  
2.2. Khảo sát đặc trưng nhạy khí  
Đặc trưng nhạy khí của vật liệu được nghiên  
cứu thông qua phép đo sự thay đổi điện trở trong môi  
trường khí H2S với các nồng độ khác nhau. Vật liệu  
V2O5 sau khi phân tán trong dung dịch cồn sẽ được  
phủ trực tiếp lên điện cực để chế tạo cảm biến bằng  
o
công nghệ màng dày, sau đó tiến hành ủ ở 400 C  
trong 1 giờ để ổn định điện trở. Tính nhạy khí H2S  
của cảm biến được nghiên cứu trên hệ Keithley 2700  
với phần mềm VEE Pro tại phòng thí nghiệm Nghiên  
cứu phát triển và ứng dụng cảm biến nano tại viện  
ITIMS (Đại học Bách Khoa Hà Nội). Chi tiết về quy  
trình chế tạo cảm biến, và khảo sát đặc trưng nhạy khí  
tương tự như đã công bố trong tài liệu [14].  
3. Kết quả và thảo luận  
Hình 1 là giản đồ nhiễu xạ tia X của vật liu  
V2O5 thu được sau khi thủy nhiệt và xử lý ti  
500oC/1h. Giản đồ nhiễu xạ thhiện các đỉnh nhiễu xạ  
đặc trưng ở các góc 2θ lần lượt là 20,8o; 22,2°; 26,7°;  
31,5°; 41,7° và 49,3° tương ứng với các mặt phẳng  
(001), (110), (101), (400), (020) và (021) đặc trưng  
ca mng tinh thV2O5 có cu trúc Orthorhombic  
(JCPDS standard card No. 89-0612). Các đỉnh nhiu  
xạ đều có cường độ lớn và các đỉnh nhn chng tỏ  
mu tng hợp được có độ kết tinh cao của pha tinh thể  
Orthorhombic. Ngoài ra, không quan sát thấy các đỉnh  
nhiễu xạ tạp chất chng tmu chế to là đơn pha.  
Đỉnh nhiễu xạ (001) có cường độ mnh nhất, chứng tỏ  
đây là hướng tinh thể ưu tiên của vật liu chế to  
được.  
Hình 3. Tính chất nhạy khí H2S của cảm biến ở các  
nhiệt độ khác nhau của cảm biến  
Hình 3 là đồ thị thể hiện sự thay đổi điện trở của  
cảm biến tại các nhiệt độ và nồng độ khí H2S khác  
nhau theo thời gian. Đặc trưng nhạy khí H2S của vật  
liệu đã được chúng tôi khảo sát tại các nhiệt độ làm  
việc là: 250, 300, 350, 400 và 450oC, với các nồng độ  
khí đo là 2,5, 5, 10 và 20 ppm. Kết quả cho thấy, tại  
116  
JST: Engineering and Technology for Sustainable Development  
Vol. 1, Issue 2, April 2021, 115-118  
tất cả các nhiệt độ và nồng độ khí đã khảo sát, cảm  
biến làm việc ổn định và đều hồi phục về điện trở nền  
sau mỗi chu kỳ đóng - mở khí. Điện trở của cảm biến  
giảm khi tiếp xúc với khí H2S, điều này phù hợp với  
lý thuyết, vì H2S là một khí khử, khi tiếp xúc với vật  
liệu, chúng phản ứng với các ion ô-xy hấp phụ trên bề  
mặt vật liệu (O-, O2 , O2-) và giải phóng các điện tử và  
-
khí SO2. Chính vì thế mà điện trở cảm biến giảm. Kết  
quả này hoàn toàn phù hợp với các công bố về vật  
liệu V2O5 cho cảm biến khí [15].  
Hình 4 là kết quả tính toán độ đáp ứng khí H2S  
của vật liu khi khảo sát ở các nhiệt độ khác nhau. Có  
ththy rng cảm biến đáp ứng tt tt cả các nồng  
độ khí và nhiệt độ khảo sát. Khi nhiệt độ tăng thì độ  
đáp của cảm biến tăng. Độ đáp ứng đạt cao nhất khi  
cảm biến được đo ở nhiệt độ 350oC (khoảng 2,8 lần ti  
20 ppm khí đo), độ đáp ứng thấp nhất đạt khoảng  
1,3 lần ti 250oC và 2,5 ppm khí đo. Tuy nhiên, độ  
đáp ứng ca cảm biến giảm khi tiếp tục tăng nhiệt độ  
lên trên 350oC. Chng tnhiệt độ làm việc tối ưu của  
cảm biến để có độ đáp ứng cao nhất là 350oC. Độ đáp  
ng ca cảm biến nhìn chung tăng khá tuyến tính theo  
các nồng độ khí H2S ở các nhiệt độ khác nhau. Kết  
quả khảo sát chứng tỏ vật liu V2O5 rất phù hợp trong  
chế to cảm biến khí H2S làm việc trong khoảng nng  
độ từ 2.5 đến 20 ppm. Khoảng làm việc ca cảm biến  
phù hợp với ng dụng trong quan trắc ô nhiễm môi  
trường.  
Hình 5. Thời gian đáp ứng (a) và thời gian hồi phục  
(b) của cảm biến tại các nhiệt độ của cảm biến.  
4. Kết luận  
Chúng tôi đã chế tạo thành công vật liu nano  
V2O5 bằng phương pháp thủy nhiệt đơn giản nhm  
ng dng trong cảm biến khí. Vt liu to ra có dng  
tm kích thước vào khoảng 100-500 nm. Chúng tôi  
cũng đã chế to thành công cảm biến khí và khảo sát  
tính chất nhạy khí H2S trên cơ sở vật liu nano V2O5.  
Kết quả cho thấy vật liệu có khả năng đáp ứng với khí  
H2S trong di nhiệt độ từ 250 đến 450oC di nồng độ  
khí từ 2,5 đến 20 ppm với thời gian đáp ứng tương đối  
ngắn. Nghiên cứu này cho thấy vật liu V2O5 có tim  
năng lớn trong việc ng dng cho cảm biến khí.  
Lời cảm ơn  
Nghiên cứu này được thực hiện với sự tài trợ  
của Bộ GD&ĐT với mã số B2020-BKA-24-CTVL,  
và một phần của đề tài nghiên cứu khoa học của  
trường Đại học Hoa Lư (Lâm Văn Năng).  
Hình 4. Đáp ứng khí H2S của cảm biến ở các nhiệt độ  
khác nhau  
Hình 5 là thời gian đáp ứng và thời gian hồi phục  
ca cảm biến được tính toán dựa trên dữ liệu điện tr-  
thi gian. Có ththy rng tt cả các nhiệt độ và  
nồng độ khí đo thời gian đáp ứng và hồi phục khá  
ngắn (đáp ứng dưới 80 giây và hồi phục dưới  
400 giây). Tại nhiệt độ 400oC thời gian đáp ứng là  
dưới 10 giây và thời gian hồi phục là khoảng dưới  
150 giây ti tt cả các nhiệt độ, nồng độ khí đo. Các  
kết quả về thời gian đáp ứng và hồi phục của vật liu  
V2O5 cho ng dng cảm biến khí H2S của chúng tôi là  
ngắn hơn nhiều so với vật liệu CuO/ZnO và vật liu  
Pd/CuO trong một số công bố trước đây cho cảm biến  
phát hiện khí H2S [16].  
Tài liệu tham khảo  
[1]. Y. Zeng, et al, Rapid and selective H2S detection of  
hierarchical ZnSnO3 nanocages, Sens. Actuators B  
Chem. 159(2011), 245250.  
[2]. R. Bari, S. Patil, A. R. Bari, Detection of H2S gas at  
lower operating temperature using sprayed  
nanostructured In2O3 thin films, Mater. Sci. 36(2013),  
967972.  
[3]. Chou. C, Hydrogen Sulfide: Human Health Aspects:  
Concise  
International  
Chemical  
Assessment  
Document 53(2003); World Health Organization:  
Geneva, Switzerland.  
117  
JST: Engineering and Technology for Sustainable Development  
Vol. 1, Issue 2, April 2021, 115-118  
[4]. A. D. Wiheeb, et al, Present Technologies for  
dyes: A detailed understanding of the mechanism and  
their antibacterial activity, Materials Science in  
Semiconductor processing. 85(2018), 122133.  
Hydrogen Sulfide Removal from Gaseous Mixtures.  
Rev. Chem. Eng. 29(2013), 449470.  
[5]. A. Boontum, et al, H2S sensing characteristics of Ni-  
doped CaCu3Ti4O12 films synthesized by a sol-gel  
method, Sensors and Actuators B: Chemical.  
260(2018), 877887.  
[12]. A. Kuddus, et al, Role of facile synthesized V2O5 as  
hole transport layer for CdS/CdTe heterojunction  
solar cell: Validation of simulation using  
experimental data, Superlattices and Microstructures.  
132(2019), 106168.  
[6]. T. K. Le, M. Kang, S. Kim, A review on the optical  
characterization of V2O5 micro-nanostructures,  
Ceramics International. 45(2019), 1578115798.  
[13]. Y. Vijayakumar, et al, V2O5 nanofibers: Potential  
contestant for high performance xylene sensor,  
Journal of Alloys and Compounds. 731(2018), 805–  
812.  
[7]. K. Schneider, M. Lubecka, A. Czapla, V2O5 thin  
films for gas sensor applications, Sensors and  
Actuators B: Chemical. 236(2016), 970977.  
[14]. Đ. Q. Đạt, et al, Synthesis and NH3 gas sensing  
characteristics of rGO/WO3 nanocomposite, Journal  
of Science and Technology. 124 (2018) 068071.  
[8]. P. Hu, et al, Porous V2O5 microspheres: A high-capacity  
cathode material for aqueous zincion batteries”,  
Chemical Communications, 55(2019), 8486-8489.  
[15]. Y. Vijayakumar, et al, Nanostructured flower like  
V2O5 thin films and its room temperature sensing  
characteristics, Ceramics International. 41(2015),  
2221–2227.  
[9]. M. Ghosh, et al, A rationally designed self-standing  
V2O5 electrode for high voltage non-aqueous all-solid-  
state symmetric (2.0 V) and asymmetric (2.8 V)  
supercapacitors, Nanoscale. 10(2018), 8741-8751.  
[16]. Z. Wu, et al, Ultrafast Response/Recovery and High  
Selectivity of the H2S Gas Sensor Based on α-  
[10]. A. A. Mane, et al, Effect of substrate temperature on  
physicochemical and gas sensing properties of  
sprayed orthorhombic V2O5 thin films, Measurement.  
131(2019), 223-234.  
Fe2O3 Nano  
Ellipsoids  
from  
One-Step  
Hydrothermal Synthesis, ACS Appl Mater Interfaces.  
11(2019), 12761-12769.  
[11]. S. K. Jayaraj, et al, Enhanced photocatalytic activity  
of V2O5 nanorods for the photodegradation of organic  
118  
pdf 4 trang yennguyen 18/04/2022 1160
Bạn đang xem tài liệu "Chế tạo và đặc trưng nhạy khí H₂S của vật liệu V₂O₅ cấu trúc nano", để tải tài liệu gốc về máy hãy click vào nút Download ở trên

File đính kèm:

  • pdfche_tao_va_dac_trung_nhay_khi_hs_cua_vat_lieu_vo_cau_truc_na.pdf