Xây dựng đường chuẩn và khảo sát đặc tính nhạy khí H₂ của thiết bị cảm biến hoạt động ở công suất thấp
JST: Engineering and Technology for Sustainable Development
Vol. 1, Issue 2, April 2021, 079-083
Xây dựng đường chuẩn và khảo sát đặc tính nhạy khí H2 của
thiết bị cảm biến hoạt động ở công suất thấp
Calibration Curve Building and Sensing Characteristics of
Low Power Consumption H2 Gas Sensor
Nguyễn Văn Toán*, Nguyễn Xuân Thái, Nguyễn Văn Duy, Chử Mạnh Hưng
Viện Đào tạo Quốc tế về Khoa học Vật liệu, Trường Đại học Bách khoa Hà Nội, Hà Nội, Việt Nam
Tóm tắt
Phát hiện và báo động sự rò rỉ khí hydro (H2) là vấn đề cực kỳ quan trọng trong quá trình sử dụng. Trong
nghiên cứu này, chúng tôi đã xây dựng đường chuẩn nhiệt độ, công suất và khảo sát đặc tính nhạy khí H2
cho thiết bị đo dựa trên cơ sở cảm biến sử dụng màng mỏng nano SnO2 biến tính tính đảo xúc tác Pd. Dựa
trên điện áp đặt vào từ 0,5 đến 9 V, công suất tiêu thụ của lò vi nhiệt tăng 4 dến 665 mW sẽ tương ứng với
nhiệt độ cấp cho cảm biến từ 70,8°C đến 362,8°C. Công suất làm việc tối ưu của thiết bị cảm biến được tìm
thấy tại 180 mW, tại đây thiết bị cho độ nhạy 2,7 lần đối với 100 ppm H2. Kết quả khảo sát cho thấy thiết bị
đo khí này có thể đo được tới nồng độ 25 ppm H2. Thiết bị cho độ chọn lọc khí H2 cao hơn hẳn so với các
khí khác như CO và C2H5OH
Từ khóa: Màng mỏng SnO2/Pd, Cảm biến khí, Thiết bị đo khí H2
Abstract
Detection and alarm of hydrogen (H2) gas leakage is an extremely important issue. In this study, we have
built temperature, power calibration curves of the H2-sensitive instrumentation using the sensor based on the
SnO2 thin film decorated with catalytic Pd islands. Based on the applied voltage of 0.5 to 9 V, the power
consumption of the micro-heater increased 4 to 665 mW, which corresponds to the temperature of the
sensor ranging from 70.8°C to 362.8°C. The optimum working power of the sensor was found to be
180 mW, in which the instrumentation showed the highest response of 2.7 times to 100 ppm H2. The
findings show that this gas instrumentation can measure down to 25 ppm H2. The instrumentation showed a
highest selectivity to H2 compared to other gases such as CO and C2H5OH.
Keywords: SnO2/Pd thin film, gas sensors, H2 detection instrument
trúc nano có rất nhiều tiềm năng để ứng dụng làm
cảm biến khí.
Khí hydro (H2) có tiềm năng rất lớn trở thành
một nguồn năng lượng xanh, sạch và năng lượng tái
tạo để ứng dụng làm pin nhiên liệu cho các phương
tiện vận tải như ô tô, máy phát điện, v.v [1]. Khí H2 là
một chất khí nhẹ, không màu, không mùi, khó khăn
trong việc lưu trữ và vận chuyển vì nó rất dễ cháy nổ
và có thể rò rỉ dễ dàng từ các bình chứa nếu không
được xử lý cẩn thận [2-4]. Vì vậy, việc phát hiện rò rỉ
khí H2 đã trở thành một vấn đề hết sức quan trọng bởi
việc rò rỉ khí H2 sẽ gây nên các tai nạn về cháy nổ,
ảnh hưởng nghiêm trọng đến sức khỏe của con người
và tài sản. Do đó, đòi hỏi một lượng rất lớn cảm biến
khí để phát hiện và báo động về sự rò rỉ của khí H2
trong quá sản xuất, bảo quản, vận chuyển và sử dụng
[5-7]. Có rất nhiều loại vật liệu ôxít kim loại bán dẫn
như SnO2, TiO2, ZnO, WO3,…dưới dạng dây nano,
hạt nano, màng mỏng nano được sử dụng làm cảm
biến đo khí, trong đó có khí hydro [8-10]. Nhiều
nghiên cứu chỉ ra rằng, vật liệu màng mỏng có cấu
Màng mỏng nano có nhiều ưu điểm như dễ dàng
tích hợp với công nghệ vi điện tử về mặt công nghệ,
đơn giản trong việc chế tạo. Điều này rất thích hợp
cho việc sản xuất hàng loạt để thương mại hóa các
sản phẩm. Tác giả Shahabuddin và cộng sự đã công
bố về cảm biến đo khí H2 dựa trên công nghệ chế tạo
màng mỏng SnO2 bằng phương pháp phún xạ, sau đó
biến tính với các vật liệu kim loại khác nhau để đo
khí H2 [11]. Cũng dựa trên công nghệ in lưới tác giả
Xie và cộng sự đã công bố chế tạo màng mỏng SiO2
và vật liệu WO3 biến tính với các kim loại như Pd, Pt
theo các tỷ lệ nồng độ khác nhau để cảm biến lọc khí
với khí khác nhau như CO, NO, NO2 và H2 [12]. Sự
tăng độ đáp ứng của khí H2 phụ thuộc vào các hoạt
động xúc tác của các kim loại quý như Pd trên phân
biên của H2 và ôxy phân tử hình thành trên vùng
nghèo làm thay đổi độ dẫn của vật liệu [13]. Tác giả
German và cộng sự đã tính toán mô phỏng sự hấp phụ
của khí H2 trên bề mặt (110) của màng mỏng SnO2
khi các nguyên tử Pd được thêm vào trên bề mặt làm
chất xúc tác. Dựa trên kết quả nghiên cứu và tính
toán, tác giả nhận thấy sự hấp phụ khí H2 khi có và
không có nguyên tử Pd và Pdn thì có nguyên tử Pd và
ISSN: 2734-9381
Received: February 25, 2020; accepted: June 15, 2020
79
JST: Engineering and Technology for Sustainable Development
Vol. 1, Issue 2, April 2021, 079-083
Pdn là tốt hơn cả [14]. Phương pháp thông thường
Bảng 1. Các thông số điện và nhiệt độ của lò vi nhiệt.
nhất để biến tính các vật liệu kim loại vào bán dẫn
ôxít kim loại thuần làm xúc tác như pha tạp, biến tính
và chức năng hóa bề mặt. Các phương pháp này được
dễ dàng tiến hành đó là bằng phương pháp hóa học do
các ion kim loại dễ dàng xảy ra trong phản ứng. Việc
pha tạp mẫu khối hoặc trên bề mặt của kim loại chủ
yếu sử dụng phương pháp ôxy hóa ướt. Ưu điểm của
phương pháp này là đơn giản, giá thành rẻ. Tuy nhiên
phương pháp này lại có nhược điểm là không kiểm
soát được chiều dày màng và mật độ xúc tác của vật
liệu pha tạp [5]. Gần đây, các phương pháp vật lý đã
được sử dụng để pha tạp hay biến tính trên bề mặt của
ôxít kim loại. Khi pha tạp thêm kim loại quý, các hạt
nano kim loại quý sẽ làm tăng quá trình hấp thụ của
Điện
thế(V)
Dòng
điện(A)
Điện
trở(Ω)
Công
suất(W)
Nhiệt
độ(oC)
0,5
0,008
61,35
0,004
70,804
1,0
1,5
2,0
2,5
0,016
0,023
0,03
62,5
0,016
0,035
0,06
78,006
89,04
100,614
115,613
64,655
67,002
70,126
0,036
0,089
3,0
3,5
4,0
4,5
5,0
5,5
6,0
6,5
7,0
7,5
8,0
8,5
9,0
0,041
0,045
0,05
73,439
77,093
80,645
84,666
88,496
92,671
96,618
100,775
105,263
109,489
113,475
117,729
121,786
0,123
0,159
0,198
0,239
0,283
0,326
0,373
0,419
0,466
0,514
0,564
0,614
0,665
131,593
149,044
166,103
185,374
203,636
223,624
242,521
262,409
283,872
304,081
323,144
343,479
362,814
0,053
0,057
0,059
0,062
0,065
0,067
0,069
0,071
0,072
0,074
các gốc oxy (O-, O2-, O2 ,) trên bề mặt của vật liệu do
-
hiệu ứng Spillover, dẫn tới sẽ làm tăng tính nhạy khí
của vật liệu. Trong hiệu ứng spillover thì các kim loại
quý đóng vai trò như các “cổng dẫn” “điểm tích cực”
cho các gốc oxy đi qua hấp thụ vào vật liệu [4,13].
Bên cạnh đó, những kim loại xúc tác sẽ thay đổi trạng
thái điện tử dẫn tới thay đổi chiều cao thế bề mặt, từ
đó làm thay đổi điện tử dẫn trong vật liệu bán dẫn
ôxít. Với kích thước cỡ micro-mét của đảo xúc tác đã
làm tăng cường độ đáp ứng của cảm biến khí trên cơ
sở màng mỏng SnO2 [11,13]. Đây là tiền đề rất quan
trọng để có thể đưa cảm biến đo khí H2 trên cơ sở
màng mỏng SnO2/Pd vào ứng dụng trong cuộc sống
thực tiễn. Tuy nhiên, hướng tới ứng dụng thực tế
trong giám sát ô nhiễm không khí, sự rò rỉ, cháy nổ
của khí H2 chip cảm biến nên được tích hợp vào hệ
thống đo cầm tay. Trong nghiên cứu này, chúng tôi
tập trung vào việc xây dựng đường chuẩn công suất,
nhiệt độ làm việc của cảm biến và khảo sát khả năng
làm việc của thiết bị cảm biến với khí H2 tại công
suất thấp dựa trên cơ sở màng mỏng Pd/SnO2 chế tạo
bằng phương pháp phún xạ kết hợp với công nghệ vi
điện tử.
Chip ghép
nối cổng US B
Máy tính
Nối máy tính
Kết nối cổng
USB lấy nguồn
5 V và truyền tín
hiệu ra máy tính
Ghi số liệu
điện áp và
nồng độ khí
Truyền tín hiệu mã
hóa điện áp ra của
cảm biến
Cấp
nguồn
5 V
1. Gia nhiệt cho lò: tăng từ 0 - điện áp đặt
trong 1 phút
2. Cấp điện áp 5 V cho cảm biến.
3. Lấy điện áp ra biến trở phân áp 500 kΩ.
Chip
điều khiển
cảm biến
2. Thực nghiệm
Trên cơ sở kết quả đo khảo sát đặc trưng nhạy
khí H2 của màng mỏng SnO2/Pd (dày 10 nm) [13],
chúng tôi đã thiết kế và chế tạo thiết bị đo khí H2 dựa
trên nguyên lý đo sự thay đổi điện áp trên biến trở
mắc nối tiếp với cảm biến: khi có sự thay đổi nồng độ
khí thổi vào/ra thì điện trở của cảm biến sẽ thay đổi,
từ đó điện áp rơi trên biến trở cũng thay đổi tương
ứng. Sơ đồ nguyên lý của thiết bị đo khí H2 được thể
hiện trên Hình 1. Chíp cảm biến được kết nối với máy
tính thông qua cổng kết nối USB để cấp nguồn 5V để
cấp điện áp để gia nhiệt cho lò vi nhiệt cũng như điện
áp của màng nhạy cảm biến hoạt động. Cũng thông
qua cổng kết nối USB để lấy tín hiệu điện áp ra của
cảm biến. Máy tính sẽ ghi số liệu vào ra của cảm biến
và nồng độ khí cấp khi hoạt động.
Hình 1. Sơ đồ ghép nối hệ thống của thiết bị đo.
Bước 1: Chuẩn nhiệt độ của cảm biến và điện trở của
lò vi nhiệt. Từ việc đo điện trở của cảm biến ở các
nhiệt độ khác nhau chúng tôi đưa ra được đường đặc
tuyến giữa điện trở, nhiệt độ và công suất lò vi nhiệt
của cảm biến như trên
Bước 2: Cấp các điện áp khác nhau (từ 0,5 ÷ 9 V) và
đo dòng điện chạy qua lò vi nhiệt qua đó tính được
các giá trị điện trở. Dựa trên các giá trị điện trở này,
xây dựng đường phụ thuộc nhiệt độ và công suất tiêu
thụ của lò vi nhiệt vào điện áp và công suất tiêu thụ
Hình 2. Từ các đặc tuyến ta thấy ứng với điện áp cấp
cho lò vi nhiệt của cảm biến từ 0,5 ÷ 9 V thì nhiệt độ
o
của lò vi nhiệt sẽ biến thiên từ 70 ÷ 362 C và công
suất tiêu thụ nhỏ hơn 700 mW. Chúng tôi khảo sát
các đặc trưng đáp ứng cũng như độ đáp ứng khí của
cảm biến trong vùng điện áp này. Theo thiết kế của
loại cảm biến này thì nhiệt độ của lò vi nhiệt và nhiệt
Việc khảo sát giá trị điện trở của lò vi nhiệt phụ
thuộc vào điện áp và nhiệt độ của lò vi nhiệt phụ
thuộc vào điện trở được chúng tôi tiến hành theo các
bước sau:
80
JST: Engineering and Technology for Sustainable Development
Vol. 1, Issue 2, April 2021, 079-083
độ trong vùng nhạy khí có sự sai khác nhau nhất định.
công suất là 270, 240, 210, 180 và 150 mW đạt giá trị
8, 16, 49, 80 và 110 giây. Thời gian hồi phục là 53,
65, 74, 96 và 180 giây tương ứng với công suất lần
lượt là 270, 240, 210, 180 và 150 mW.
Tuy nhiên khoảng cách từ lò vi nhiệt đến vùng nhạy
khí chỉ khoảng 40 µm, nên sự sai khác về nhiệt độ
giữa hai vùng này là không đáng kể. Chính vì vậy,
nhiệt độ của lò vi nhiệt có thể coi là nhiệt độ hoạt
động của cảm biến. Từ các đặc tuyến khảo sát chúng
tôi đưa ra bảng thay đổi thông số dòng điện, điện trở
và công suất theo điện thế đặt vào từ đóvà so sánh với
nhiệt độ ngoài của lò vi nhiệt như được trình bày
trong Bảng 1.
Trên Hình 2 là sự phụ thuộc giữa nhiệt độ cấp
nhiệt ngoài trong dải nhiệt độ từ 100°C – 362,8 °C và
công suất cấp cho lò vi nhiệt trong giải từ 60 mW đến
665 mW. Các giá trị nhiệt độ và công suất này ta thấy
là tương đồng khi xét theo các giá trị điện trở tương
ứng của lò vi nhiệt như trên Hình 2. Từ đó ta có thể
dựa vào công suất tiêu thụ của lò vi nhiệt ta tính được
nhiệt độ của lò vi nhiệt cấp cho cảm biến hoạt động
[15].
3. Kết quả và thảo luận
Khi đưa cảm biến lên mạch, sự thay đổi của điện
trở cảm biến được chuyển thành sự biến thiên của
điện áp rơi trên biến trở 100 kΩ mắc nối tiếp với cảm
biến. Lúc này độ biến thiên điện áp ra được xác định
theo công thức: Vout = Rv*5/(Rs+Rv), trong đó Vout, Rs,
và Rv tương ứng là điện áp ra, điện trở cảm biến, và
giá trị đặt của biến trở. Như vậy với sự có mặt của khí
H2 trong môi trường dẫn tới sự tăng điện trở của cảm
biến Rs sẽ cho kết quả là điện áp ra Vout giảm. Do vậy,
độ đáp ứng của thiết bị cảm biến với khí H2 được tính
dựa theo công thức S = Vin/Vout, trong đó Vin là điện áp
cấp.
Hình 2. Đường chuẩn nhiệt độ và công suất tiêu thụ
phụ thuộc điện trở của lò vi nhiệt.
(b)
Trên Hình 3(a) là kết quả đo nhạy khí theo công
suất tiêu thụ trong giải công suất từ 150 – 270 mW,
với các nồng độ 100 ppm khí H2 (nhiệt độ phòng, độ
ẩm khoảng 80%). Ta thấy cảm biến đáp ứng tốt và
duy trì ở các mức điện áp ra ổn định ứng với nồng độ
khí đo. Những sự thay đổi điện áp ra này nếu được
tiến hành xử lý và hiển thị sẽ cho ra các giá trị nồng
độ khí thực tế đo được. Trên Hình 3(b) với công suất
khác nhau trong dải từ 150 mW đến 270 mW, ta nhận
thấy thiết bị cảm biến đạt độ đáp ứng với các giá trị
2,6; 2,7; 2,6; 2,2 và 1,2 lần ứng với trá trị trong dải
công suất từ 150 đến 270 mW. Thiết bị cảm biến cho
độ đáp ứng cao nhất tại giá trị công suất 180 mW, độ
đáp ứng của cảm biến đạt 2,7 lần.
Thời gian (s)
Hình 3. Đặc trưng nhạy khí của thiết bị cảm biến
SnO2/Pd phụ thuộc công suất theo thời gian (a) và độ
đáp ứng khí theo công suất tại nồng độ 100 ppm khí
H2 (b).
Sau khi tìm được công suất làm việc tối ưu của
thiết bị cảm biến tại công suất 180 mW, dựa trên điều
kiện công suất này chúng tôi khảo sát đặc trưng nhạy
khí H2 với các nồng độ khác nhau (25 – 1000 ppm)
của thiết bị cảm biến như trên Hình 4. Ta nhận thấy
thiết bị cảm biến cho độ đáp ứng và hồi phục tốt với
các nồng độ khí khác nhau. Độ đáp ứng của thiết bị
cảm biến giảm tuyến tính theo nồng độ khí cấp với
các giá trị nồng độ là 1000; 500; 250; 100; 50 và 25
ppm khí H2.
Thời gian đáp ứng (τres) và thời gian hồi phục
(τrec) là những thông số quan trọng khác để đánh giá
cảm biến khí. Thời gian đáp ứng được tính là thời
gian để điện áp của cảm biến giảm đến 90% của giá
trị điện áp ban đầu tính từ thời điểm đo khí H2. Thời
gian hồi phục là thời gian để điện áp cảm biến trở về
90% của giá trị điện áp ban đầu (trong môi trường
không khí). Thời gian đáp ứng, hồi phục của cảm
biến tùy thuộc vào công suất tiêu thụ của cảm biến.
Thời gian đáp ứng cụ thể được tính toán với giá trị
81
JST: Engineering and Technology for Sustainable Development
Vol. 1, Issue 2, April 2021, 079-083
nhau như H2 (250 ppm), CO (250 ppm) và C2H5OH
3000
2500
2000
1500
1000
500
(2500 ppm) tại công suất 180 mW. Độ đáp ứng như
một hàm của nồng độ khí được chỉ ra trên Hình 5 (a).
Ta nhận thấy rằng thiết bị cảm biến màng mỏng
SnO2/Pd có thể đáp ứng với các loại khí khác nhau.
Kết quả trên Hình 5(b) cho thấy độ nhạy của thiết bị
cảm biến đạt giá trị 2,7 lần với nồng độ 250 ppm khí
H2; 1,05 lần với giá trị 250 ppm khí C2H5OH và 1,13
lần với 250 ppm khí CO. Điều này cho thấy thiết bị
cảm biến có độ chọn lọc cao nhất đối với khí H2.
@ 180 (mW)
1000 ppm
500 ppm
250 ppm
100 ppm
50 ppm
25 ppm
4. Kết luận
Thiết bị cảm biến nhạy khí H2 dựa trên màng
mỏng SnO2/Pd đã được chế tạo thành công tại phòng
thí nghiệm bằng cách sử dụng kỹ thuật vi điện tử.
Trên cơ sở đó chúng tôi đã chế tạo và xây dựng được
đường chuẩn của thiết bị đo khí H2 cầm tay trên cơ sở
cảm biến SnO2/Pd chế tạo được. Kết quả cho thấy
thiết bị cảm biến hoạt động ổn định, độ nhạy đạt xấp
xỉ 8,67 lần ở nồng độ khí H2 là 1000 ppm. Cảm biến
có công suất tiêu thụ nhỏ và đạt giá trị tốt nhất tại
180 mW. Các điều kiện thay đổi như nồng độ khí,
công suất tiêu thụ của cảm biến cũng được khảo sát.
Thiết bị đo khí chế tạo được có thể phát hiện khí H2 ở
nồng độ thấp đến cỡ 25 ppm với độ đáp ứng cao. Các
cảm biến có độ chọn lọc tốt khi khảo sát với một số
loại khí khác như H2, CO, và C2H5OH. Qua kết quả
nghiên cứu cho thấy thiết bị đo cảm biến khí H2 trên
cơ sở màng mỏng SnO2/Pd hoàn toàn có khả năng
ứng dụng vào việc quan trắc môi trường cũng như
phòng chống cháy nổ của khí H2 trong thực tế cuộc
sống.
0
1000 2000 3000 4000
Hình 4. Đặc trưng đáp ứng khí H2 của thiết bị cảm
biến SnO2/Pd theo nồng độ khí khác nhau tại công
suất 180 mW.
1500
250ppm H
2
(a)
(b)
250 ppm
@ 180 mW
3
2
1
@ 180 mW
1200
900
250 ppm
CO
250 ppm
C H OH
600
2
5
250 ppm
250 ppm
Lời cảm ơn
0
2000
4000
H2
CO
C H5OH
2
Nghiên cứu này được tài trợ bởi Trường Đại học
Bách khoa Hà Nội trong đề tài mã số T2018-PC-073.
Hình 5. Độ chọn lọc khí của thiết bị cảm biến
SnO2/Pd theo các nồng khí khác nhau tại công suất
180 mW (b).
Tài liệu tham khảo
[1] L. Schlapbach, Technology: Hydrogen-fuelled
vehicles., Nature, vol. 460, no. 7257, pp. 809–811,
Aug. 2009,
So sánh với một số cảm biến thương mại đo khí
H2 có sẵn trên thị trường như MQ-8 của hãng
Zhengzhou Winsen Electronics Technology CO.,
LTD thì công suất tiêu thụ của cảm biến xấp xỉ
900 mW [16]. Cũng như mẫu MQ-8 của hãng
HANWEI ELETRONICS CO.,LTD thì công suất tiêu
thụ cho cảm biến xấp xỉ 800 mW [17]. Cảm biến đo
khí H2 loại SGAS701 của hãng Integrated Device
Technology, Inc thì công suất tiêu thụ của cảm biến
là khoảng 600 mW [18]. Chúng tôi nhận thấy thiết bị
cảm biến của chúng tôi chế tạo có công suất tiêu thụ
cảm biến thấp hơn hẳn so với một số thiết bị đo có
sẵn trên thị trường. Đây là một trong những điều rất
có ý nghĩa nhằm giảm công suất tiêu thụ của thiết bị
từ đó nâng cao khả năng ứng dụng trong các thiết bị
đo cầm tay, thiết bị ứng dụng internet vạn vật kết nối.
[2] H. Afgan and M. G. Carvalho, Sustainability
assessment of a hybrid energy system, Energy Policy,
vol. 36, no. 8, pp. 2893–2900, 2008.
[3] K. Hacatoglu, I. Dincer, and M. a. Rosen,
Sustainability assessment of a hybrid energy system
with hydrogen-based storage, Int. J. Hydrogen
Energy, vol. 40, no. 3, pp. 1559–1568, 2015,
[4] Hübert, L. Boon-Brett, G. Black, and U. Banach,
Hydrogen sensors – A review, Sensors Actuators B
Chem., vol. 157, no. 2, pp. 329–352, Oct. 2011,
[5] N. Yamazoe, New approaches for improving
semiconductor gas sensors, Sensors Actuators B
Chem., vol. 5, no. 1–4, pp. 7–19, Aug. 1991,
Độ chọn lọc cũng là một thông số quan trọng
của thiết bị cảm biến khí. Do đó, chúng tôi khảo sát
độ hồi đáp của thiết bị cảm biến với các khí khác
82
JST: Engineering and Technology for Sustainable Development
Vol. 1, Issue 2, April 2021, 079-083
Using Noble Metal (Pt, Pd) Decorated MOx (M = Sn,
W) Combined with SiO2 Membrane, IEEE Sens. J.,
vol. 19, no. 22, pp. 10674–10679, 2019,
[6] T. Seiyama, K. Fujiishi, M. Nagatani, and A. Kato, A
New Detector for Gaseous Components Using Zinc
Oxide Thin Films, J. Soc. Chem. Ind. Japan, vol. 66,
no. 5, pp. 652–655, 1963.
[13] N. V. Toan, N. V. Chien, N. V. Duy, H. S. Hong, H.
Nguyen, N. D. Hoa, and N. V. Hieu, Fabrication of
highly sensitive and selective H2 gas sensor based on
SnO2 thin film sensitized with microsized Pd islands,
J. Hazard. Mater., vol. 301, pp. 433–442, 2016,
[7] S. Korea, Low-power micro gas sensor, vol. 33, pp.
147–150, 1996,
[8] A. Z. Adamyan, Z. N. Adamyan, and V. M.
Aroutiounian, Study of sensitivity and response
kinetics changes for SnO2 thin-film hydrogen sensors,
Int. J. Hydrogen Energy, vol. 34, no. 19, pp. 8438–
8443, Oct. 2009,
[14] E. German, C. Pistonesi, and V. Verdinelli, A DFT
study of H2 adsorption on Pdn/SnO2 (110) surfaces (n
= 1−10), Eur. Phys. J. B, vol. 92, no. 5, 2019,
[9] H. S. Al-Salman and M. J. Abdullah, Hydrogen gas
sensing based on ZnO nanostructure prepared by RF-
sputtering on quartz and PET substrates, Sensors
Actuators B Chem., vol. 181, pp. 259–266, May.
[15] N. X. Thai, N. V. Duy, N. V. Toan, C. M. Hung, N.
V. Hieu, and N. D. Hoa, Effective monitoring and
classification of hydrogen and ammonia gases with a
bilayer Pt/SnO2 thin film sensor, Int. J. Hydrogen
Energy, vol. 45, no. 3, pp. 2418–2428, 2020,
[10] R. Godbole, V. Godbole, and S. Bhagwat, Palladium
enriched tungsten oxide thin films: an efficient gas
sensor for hazardous gases, Eur. Phys. J. B, vol. 92,
no. 4, Apr. 2019,
[16] F. G. Sensor, Flammable Gas Sensor MQ-8,
Zhengzhou Winsen Electronics Technology CO.,
LTD, p. 7, 2014.
[17] B. Environment, Mq-8 Gas Sensor, Hanwei
[11] M. Shahabuddin, A. Umar, M. Tomar, and V. Gupta,
Custom designed metal anchored SnO2 sensor for H2
detection, Int. J. Hydrogen Energy, vol. 42, no. 7, pp.
4597–4609,2017,
Eletronics Co.,Ltd, 2014.
[18] Idt, Trace Hydrogen (H2) Sensor SGAS701
Datasheet, pp. 1–16, 2017.
[12] F. Xie, W. Li, Q. Zhang, and S. Zhang, Highly
Sensitive and Selective CO/NO/H2/NO2 Gas Sensors
83
5 trang
18/04/2022
2680
Bạn đang xem tài liệu "Xây dựng đường chuẩn và khảo sát đặc tính nhạy khí H₂ của thiết bị cảm biến hoạt động ở công suất thấp", để tải tài liệu gốc về máy hãy click vào nút Download ở trên
File đính kèm:
- xay_dung_duong_chuan_va_khao_sat_dac_tinh_nhay_khi_h_cua_thi.pdf
