Tóm tắt Luận văn Nghiên cứu chế tạo tinh thể quang tử một chiều có cấu trúc buồng vi cộng hưởng làm bằng silic xốp ứng dụng làm cảm biến cho các dung môi hữu cơ
ĐẠI HỌC QUỐC GIA HÀ NỘI
TRƯỜNG ĐẠI HỌC CÔNG NGHỆ
PHẠM VĂN ĐẠI
NGHIÊN CỨU CHẾ TẠO TINH THỂ
QUANG TỬ MỘT CHIỀU CÓ CẤU TRÚC
BUỒNG VI CỘNG HƯỞNG LÀM BẰNG
SILIC XỐP ỨNG DỤNG LÀM CẢM BIẾN
CHO CÁC DUNG MÔI HỮU CƠ
Chuyên ngành: Vật liệu và Linh kiện nano
Mã số: Chuyên ngành đào tạo thí điểm
TÓM TẮT LUẬN VĂN THẠC SĨ CHUYÊN
NGÀNH VẬT LIỆU VÀ LINH KIỆN NANO
HÀ NỘI - 2017
CHƯƠNG 1: TINH THỂ QUANG TỬ, CẤU TRÚC VÀ ĐẶC
TÍNH QUANG HỌC CỦA BUỒNG VI CỘNG HƯỞNG 1D DỰA
TRÊN CƠ SỞ SILIC XỐP
1.1. Tinh thể quang tử
1.1.1. Khái niệm tinh thể quang tử
Tinh thể quang tử là một cấu trúc tuần hoàn trong không gian của các
vật liệu với hằng số điện môi khác nhau được sắp xếp tuần hoàn xen kẽ
nhau, có chiết suất thay đổi theo chu kỳ trên một thang chiều dài có thể
so sánh được với bước sóng ánh sáng đang được nghiên cứu. Như chúng
ta đã biết, đặc tính vật lý của vật chất mà nó có tác động lên sự chuyển
động của các quang tử là chiết suất, vì vậy tính tuần hoàn của các đơn tử
mà chúng ta vừa nói ở trên chính là sự tuần hoàn của chiết suất. Tính tuần
hoàn về chiết suất làm cho tinh thể quang tử có thể giam giữ được ánh
sáng và hạn chế một cách hoàn toàn bức xạ tự nhiên nếu một nguồn ánh
sáng nằm trong chính tinh thể này trong một dải tần số hay dải bước sóng
nhất định mà ta thường gọi là vùng cấm quang (PBG).
1.1.2. Các đặc tính và thông số quan trọng của tinh thể quang tử
Tinh thể quang tử được đăc trưng bởi một số thông số cơ bản: số chiều,
sự đối xứng, hằng số mạng (a), hệ số lấp đầy (f), chiết suất hiệu dụng (neff),
sự tương phản chiết suất (δ).
1.2.
Cấu tạo buồng vi cộng hưởng 1D
1.2.1. Cấu tạo buồng vi cộng hưởng
(a)
(b)
Hình 1.6. (a) Sơ đồ cắt ngang của một buồng vi cộng hưởng. Chiết suất
của lớp đệm là ns và bề dày của lớp này là ds. Lớp đệm được đưa vào
giữa hai DBR đối xứng với chiết suất của các lớp là nH, nL và bề dày dH,
dL. (b)Phổ phản xạ của buồng vi cộng hưởng 1D điển hình.
1.3. Cơ sở cho quá trình hình thành buồng vi cộng hưởng làm bằng
silic xốp
Silic xốp chủ yếu được tạo ra từ sự ăn mòn điện hoá các phiến Silic
trong các dung dịch axit HF. Hình 1.11 là sơ đồ chế tạo silic xốp: anot là
phiến silic có bề mặt được tiếp xúc với dung dịch HF, catốt được làm
bằng platin.
Hình 1.11. Sơ đồ nguyên lý chế tạo silic xốp
Các lỗ xốp được chia làm 3 loại theo kích thước lỗ của chúng:
micropores, mesopores và macropores tương ứng với đường kính trung
bình của lỗ là: 2nm, 20-50nm và > 50nm.
Quá trình hình thành các nano tinh thể Si bằng điện hóa là một quá
trình “tự giới hạn” có nghĩa là khi các nano Si đạt tới một kích thước xác
định trong một tổ hợp các điều kiện điện hóa (như thế phân cực, nồng độ
dung dịch điện hóa, nồng độ pha tạp của đế Si…) thì quá trình ăn mòn
nano Si này không tiếp tục xảy ra nữa và được gọi là kích thước tới hạn.
Bảng 1.1. Ảnh hưởng của các thông số anot hóa đến sự hình thành silic
xốp.Tăng các thông số cột đầu tiên dẫn đến sự thay đổi các thành phần còn lại.
Độ xốp
Giảm
Tăng
Tốc độ ăn mòn Dòng tới hạn
Giảm
Tăng
Tăng
Nồng độ HF
Mật độ dòng
--------
--------
Tăng
Tăng
Hầu như không
--------
Thời gian anot hóa
Nhiệt độ
--------
Giảm
Tăng
Tăng
Tăng
Tấm pha tạp ( loại p)
Tấm pha tạp ( loại n)
Tăng
--------
Silic xốp được đặc trưng bởi độ xốp, độ dày và đường kính lỗ rỗng.
Các thông số này phụ thuộc vào điều kiện anot hoá (anodization). Cụ thể
là: nồng độ axit HF, mật độ dòng, loại vật liệu silic, điện trở suất, thời
gian anot hoá, sự chiếu sáng, nhiệt độ, độ ẩm môi trường xung quanh và
điều kiện làm khô.
Các lỗ xốp được chia làm 3 loại theo kích thước lỗ của chúng:
micropores, mesopores và macropores tương ứng với đường kính trung
bình của lỗ là: 2nm, 20-50nm và > 50nm.
Độ nhạy của một cảm biến buồng cộng hưởng được định nghĩa là
Δλ/Δn, trong đó Δλ là khoảng dịch phổ theo bước sóng và Δn là sự thay
đổi chiết suất của môi trường. Các yếu tố ảnh hưởng đến độ nhạy của
buồng vi cộng hưởng: gương Bragg, bước sóng cộng hưởng, chiều dày
lớp không gian, cấu trúc silic xốp, chức hóa bề mặt.
1.4. Ứng dụng buồng vi cộng hưởng 1D dựa trên Silic xốp làm cảm
biến xác định dung môi hữu cơ.
Nguyên lý của cảm biến buồng vi cộng hưởng 1D dựa trên silic xốp
là các chất cần phân tích xâm nhập các lỗ xốp làm thay đổi chiết xuất hiệu
dụng của màng xốp dẫn đến sự dịch chuyển phổ phản xạ của cảm biến.
Việc xác định nồng độ dung môi trong một dung dịch đã được thực
hiện bằng cách nhúng cảm biến trong dung dịch hoặc pha hơi ở trạng thái
cân bằng hoặc trong trạng thái áp suất hơi bão hòa.
Hình 1.22. Sơ đồ nguyên lý đo phổ phản xạ của cảm biến quang.
Quá trình xảy ra trong cảm biến pha lỏng dựa trên buồng vi cộng
hưởng một chiều bằng silic xốp có thể được coi như sự hấp thụ mao mạch
của các phân tử chất phân tích bên trong các lỗ xốp của cấu trúc silic xốp.
Công thức Bruggerman chỉ ra mối quan hệ giữa độ xốp và chiết suất
của silic xốp trong cảm biến pha lỏng dựa trên buồng vi cộng hưởng:
휺
−휺
휺
−휺
풗풐풊풅 푷푺풊
푺풊
푷푺풊
(
)
휺
푺풊
ퟏ − 푷
+ 푷 휺
= ퟎ
(13)
+ퟐ휺
+ퟐ휺
풗풐풊풅 푷푺풊
푷푺풊
Thay 휺 = 풏ퟐ vào phương trình (13) ta có:
ퟐ
ퟐ
ퟐ
ퟐ
풏
−풏
풏
−풏
푺풊
푷푺풊
풗풐풊풅
푷푺풊
(
)
ퟐ
풏
ퟏ − 푷
+ 푷 풏
= ퟎ
(14)
ퟐ
ퟐ
풗풐풊풅
ퟐ
+ퟐ풏
+ퟐ풏
푺풊
푷푺풊
푷푺풊
Trong đó: P là độ xốp, εSi là hằng số điện môi của silic, εPS là hằng số
điện môi của silic xốp, εvoid là hằng số điện môi trung bình bên trong lỗ
xốp (không khí/chất phân tích), nSi là chiết suất của silic, nPSi là chiết suất
của silic xốp và nvoid là chiết suất trung bình bên trong lỗ xốp (không
khí/chất phân tích).
Cảm biến pha hơi dựa trên buồng vi cộng hưởng làm bằng silic xốp
có khả năng nhận biết các chất khí thông qua hiện tượng ngưng tụ tại các
vi mao mạch trong các lỗ xốp. Hiệu ứng này được thể hiện qua công thức
Kelvin. Với điều kiện p< po :
푽
휸
r=-
(1.15)
풑
푹푻풍풏(
)
풑
풐
Ở đây r là bán kính Kelvin, γ là sức căng bề mặt, V là khối lượng mol
của chất lỏng, R là hằng số khí, p là áp suất của chất khí, T là nhiệt độ của
cảm biến và po là áp suất khí ở nhiệt độ T.
Ta có công thức Bruggeman chỉ ra mối quan hệ giữa độ xốp và chiết
suất của silic xốp trong cảm biến pha hơi dựa trên buồng vi cộng hưởng:
ퟐ
ퟐ
ퟐ
ퟐ
ퟐ
ퟐ
−풏
풏
−풏
풏 −풏
풄풉
(1-P)풏풏
+ 푷 − 푽
+ 푽. 풏
풑.푺풊 =0
(1.19)
푺풊
풑.푺풊
ퟐ
푺풊
풂풊풓
풑.푺풊
(
)
ퟐ
풏
ퟐ
푺풊
ퟐ
ퟐ
풄풉
ퟐ
풑.푺풊
+ퟐ풏
+ퟐ풏
+ퟐ풏
풂풊풓
풑.푺풊
Trong đó nSi là chiết suất của silic, np.Si là chiết suất của silic xốp, nair
là chiết suất của không khí, nch là chiết suất của chất khí được ngưng tụ ở
các lỗ xốp, P là độ xốp và V là thế tích phần chất lỏng ngưng tụ.
CHƯƠNG 2: MÔ PHỎNG CÁC ĐẶC TÍNH QUANG HỌC CỦA
BUỒNG VI CỘNG HƯỞNG 1D VÀ KẾT QUẢ MÔ PHỎNG
2.1. Cơ sở toán học để phân tích và mô phỏng buồng vi cộng hưởng
Phương pháp ma trận truyền (TMM) là một thuật toán rất hữu ích cho
việc tính toán phổ phản xạ và truyền qua của các cấu trúc đa lớp.
Phương pháp ma trận truyền có thể xử lý các cấu trúc có chỉ số tương
phản cao giữa hai vật liệu hỗn hợp. Điều này khiến cho TMM trở thành
phương pháp phù hợp cho mô phỏng các cấu trúc màng đa lớp, là các cấu
trúc có sự tương phản cao giữa các lớp.
2.1.1. Chương trình mô phỏng buồng vi cộng hưởng
Chúng tôi xem xét một cấu trúc có chứa N cặp lớp silic xốp với chiết
suất được lặp lại một cách tuần hoàn, chiết suất của môi trường tại bề mặt
là n0 và chiết suất của đế (môi trường phía dưới) là ns.
Sơ đồ của cấu trúc buồng vi cộng hưởng trên cơ sở tinh thể 1D dựa
trên màng silic xốp đa lớp. Nó là một cấu trúc tuần hoàn của 2 lớp silic
xốp (với chiết suất lần lượt là n1 và n2). A(x) biểu diễn cho biên độ sóng
truyền tới từ bên phải và B x) là biểu diễn cho biên độ sóng truyền tới từ
bên trái, A(x) và B(x) không liên tục tại các giao diện. Bề dày của mỗi
lớp là dm, chiết suất là nm và Λ=dm+dm+1 là chu kỳ của cấu trúc.
Trong đó n0, ns tương ứng là chiết suất của môi trường xung quanh và
chiết suất phản xạ của lớp đế. Với cấu trúc này, ta có n(x) = n(x+Λ). Nhìn
chung, cho các lớp thứ m, chiết suất là nm và chiều dày là dm trong đó dm
= xm+1-xm (m = 1:2N).
Hình 2.2. Sơ đồ cấu trúc của buồng vi cộng hưởng 1D
2.2. Kết quả mô phỏng buồng vi cộng hưởng dựa trên tinh thể
quang tử 1D.
Chương trình mô phỏng buồng vi cộng hưởng bao gồm các thông số
sau: d1, d2, dss là độ dày của lớp điên môi có chiết suất cao, thấp và lớp
không gian. n1, n2, nss là chiết suất của lớp cao, thấp và lớp không gian.
Hình 2.3. Phổ phản xạ mô phỏng của một buồng vi cộng hưởng 1D với bước
sóng cộng hưởng ở λ0 = 650nm. Tỷ lệ của nH/nL là 2,5/1,55 và dss = 0 /2ns.
Các yếu tố có thể ảnh hưởng đến phổ của buồng vi cộng hưởng bao
gồm: số chu kỳ của gương phản xạ Bragg trong buồng vi cộng hưởng, độ
dày và chiết suất của các lớp điện môi.
2.2.1. Nghiên cứu các thông số của buồng vi cộng hưởng 1D
Sự ảnh hưởng của các thông số khác nhau lên phổ phản xạ:
2.2.1.1. Độ dày của lớp không gian (dss)
Hình 2.4. Phổ phản xạ của một buồng vi cộng hưởng bao gồm 2 DBR
với độ dày quang học là λ/4 và một lớp không gian độ dày là a)λ, b)λ/2.
Khác với độ dày quang học của gương phản xạ Bragg (DBRs) thường
là λ/4, thì độ dày quang học của lớp không gian có thể nhận một trong hai
giá trị là λ hoặc λ/2. Vùng cấm của buồng vi cộng hưởng với lớp không
gian là λ/2 là rộng hơn của buồng vi cộng hưởng có độ dày là λ và các
cực trị hai bên gần với vùng cấm hơn.
2.2.1.2. Chiết suất phản xạ của lớp không gian (nss)
Chiết suất phản xạ của lớp không gian có thể sử dụng một trong các
chiết suất của DBRs của buồng vi cộng hưởng hoặc là một giá trị khác.
Sự ảnh hưởng của giá trị này lên phổ phản xạ của buồng vi cộng hưởng
Hình 2.5. Phổ phản xạ của buồng vi cộng hưởng dựa trên tinh thể
quang tử 1 chiều bao gồm 2 DBR với nL=1,55 và nH =2,5. Độ dày của
lớp không gian là λ/2 và chiết suất phản xạ của nó lần lượt là a)1,4,
b)1,55, c) 1,8, d) 2,5.
được nghiên cứu cho tất cả các trường hợp sau: chiết suất nhỏ hơn nL,
bằng nL, nằm trong khoảng nL và nH, và bằng nH. Kết quả có thể quan sát
trong hình 2.5.
2.2.1.3. Số chu kỳ của DBR
Độ rộng của đỉnh cộng hưởng truyền qua phụ thuộc vào số chu kỳ của
Hình 2.6. Phổ phản xạ của buồng vi cộng hưởng có số chu kỳ khác
nhau.
các gương phản xạ Bragg (DBR) của buồng cộng hưởng. Khi số chu kỳ
N tăng, đỉnh truyền qua trở nên hẹp hơn, độ phản xạ của vùng cấm tăng
lên và hình dáng của phổ sắc nét hơn.
CHƯƠNG 3: KẾT QUẢ THỰC NGHIỆM VÀ THẢO LUẬN
3.1 Nguyên lý, qui trình chế tạo buồng vi cộng hưởng bằng phương
pháp ăn mòn điện hóa
Định luật phản xạ Bragg áp dụng cho buồng vi cộng hưởng 1D có
dạng:
n.d = λ0/4
(3.1)
Với một lớp có chiết suất thấp nL và lớp khác có chiết suất cao nH.
Thông thường tinh thể photonic 1D gồm N cặp lớp (LH)N = LHLH...LH.
Với điều kiện tinh thể quang tử được đặt trong không khí, mặt ngoài của
tinh thể quang tử là tiếp xúc với môi trường có chiết suất xấp xỉ 1 nên để
có sự phù hợp về mặt chiết suất với môi trường thì lớp ngoài cùng của
tinh thể quang tử sẽ là lớp có chiết suất thấp.
3.1.1. Chế tạo buồng vi cộng hưởng dựa trên màng đa lớp silic xốp
- Bước 1: Chuẩn bị mẫu, dụng cụ và hóa chất
+ Phiến silic loại p+ có điện trở suất ρ = 0,01 - 0,1 Ωcm.
+ Ủ tiếp xúc mặt sau cho phiến silic đã được bốc bay Al ở nhiệt độ
thích hợp trong 2 giờ.
+ Phiến silic sau khi đã được ủ tiếp xúc, được cắt thành miếng 1,6 x
1,6 cm, rung siêu âm các mảnh này trong isopropanol sau đó rửa bằng
nước khử.
+ Chuẩn bị hóa chất để ăn mòn: Dung dịch HF và cồn tuyệt đối.
Hình 3.1. Hệ lò được dùng để ủ tiếp xúc cho phiến silic bốc bay nhôm
- Bước 2: Chế tạo buồng vi cộng hưởng 1D bằng phương pháp ăn mòn
điện hóa.
*Hệ thống điện hóa bao gồm các phần:
- Bình điện hóa, nguồn dòng, mảnh silic kích thước 1,6 x 1,6 cm.
- Dung dịch ăn mòn là hỗn hợp HF: C2H5OH 16 đến 20%
Các mẫu sau khi được chế tạo được rửa trong cồn tuyệt đối rồi sấy khô.
Hình 3.2. Hệ điện hóa AUTOLAB. PGSTAT -30 dùng để chế tạo PC 1D
3.1.2. Thiết kế chế tạo buồng vi cộng hưởng 1 chiều
Hình 3.3 trình bày sơ đồ của một buồng vi cộng hưởng và phổ phản
xạ tương ứng. Bước sóng cộng hưởng thay đổi rất nhanh và phụ thuộc lớn
vào chiều dài quang học của lớp khuyết tật theo đó một sự thay đổi nhỏ
của chiều dài quang học cũng dẫn tới sự dịch đỉnh của bước sóng cộng
hưởng. Khi độ dài quang học của lớp khuyết tật tăng lên sẽ dẫn tới nhiều
bước sóng mà photon được phép truyền qua trong PBG.
Các buồng vi cộng hưởng do chúng tôi chế tạo được xuất phát từ đế
silic loại p+ trong dung dịch axit HF 16% (dung dịch của axit HF và cồn
Hình 3.3. (a) Sơ đồ minh họa cấu trúc của một buồng vi cộng hưởng thể
hiện bởi lớp khuyết tật có độ dài quang học λ/2 xen giữa hai DBR gồm
các lớp có chiết suất cao và thấp có độ dài quang học λ/4 xen kẽ lẫn
nhau. (b) Phổ phản xạ tương ứng cho thấy một bước sóng cộng hưởng
hẹp ở giữa đỉnh phản xạ cực đại.
tuyệt đối). Nồng độ HF được sử dụng trong quá trình điện hóa là 16%
được lựa chọn bởi vì nó cho phép tạo ra một dải rộng của các giá trị chiết
suất của các lớp xốp.
Hình 3.4. Sơ đồ minh họa quá trình ăn mòn tạo ra silic xốp.
Các cấu trúc đa lớp của silic xốp (PC 1D) có thể được tạo ra bởi vì quá
trình hòa tan của silic được ưu tiên xảy ra ở các đỉnh lỗ nơi môi trường là
đậm đặc nhất như được mô tả trong hình 3.4. Các lớp được hình thành
trước đó không bị ảnh hưởng bởi quá trình ăn mòn điện hóa tiếp theo.
Để tạo ra các lớp có chiết suất thay đổi tuần hoàn nằm xen kẽ nhau thì
mật độ dòng điện cũng được thay đổi như minh họa trong hình 3.5, mỗi
một mật độ dòng điện tương ứng với một độ xốp khác nhau.
Hình 3.5. Sơ đồ của quy trình tạo ra các lớp silic xốp.
Bảng 3.1. Các điều kiện ăn mòn để chế tạo buồng vi cộng hưởng 1D
Mật độ dòng (mA/cm2)
Thời gian (s)
Mô tả
5.555
15
50
Gương trên (N,5 chu kỳ)
2.857
5.714
50
15
50
Lớp khuyết tật
5.555
Gương dưới (N+1 chu kỳ)
2.857
Có hai yếu tố cơ bản để có thể thiết kế các buồng vi cộng hưởng có
chỉ số Q-factor cao dựa trên màng silic xốp đa lớp chế tạo bằng phương
pháp ăn mòn điện hóa phiến silic:
Thứ nhất, độ tương phản chiết suất ở tất cả các bề mặt phải là cao nhất.
Thứ hai là DBR trên và dưới phải có độ phản xạ như nhau để có được
triệt tiêu hoàn toàn ở bước sóng giao thoa (bước sóng cộng hưởng).
Các buồng vi cộng hưởng sau khi chế tạo được đo phổ phản xạ thông
qua máy Spectrometer USB-4000 và đo vi hình thái thông qua ảnh FE-
SEM của máy S-4800.
3.2. Các kết quả chế tạo buồng vi cộng hưởng dựa trên tinh thể
quang tử 1D
Chúng tôi đã chế tạo được các buồng vi cộng hưởng với các bước
sóng, số chu kỳ, chiết suất khác nhau của hai gương phản xạ Bragg, độ
dày và chiết suất khác nhau của lớp không gian. Hình 3.6 là một số mẫu
chúng tôi chế tạo được với các thông số đầu vào giống nhau, bước sóng
cộng hưởng là 662.55 sau khi oxy hóa bề mặt.
Nhìn chung, các buồng vi cộng hưởng 1D chế tạo từ silic xốp với độ
rộng dải truyền qua là 20nm hoạt động trong vùng nhìn thấy là các mẫu
tốt cho phép áp dụng trong các cảm biến quang, cảm biến sinh học hoặc
các laser buồng vi cộng hưởng.
Hình 3.6. Ảnh chụp các mẫu PC 1D hoạt động trong vùng nhìn thấy ở
cùng bước sóng (tương ứng với điều kiện chế tạo giống nhau).
(a)
(b)
Hình 3.7. Ảnh FE-SEM cho thấy kích thước của các lỗ xốp vào
khoảng vài chục nanomet trong lớp đệm (a) và ảnh mặt cắt ngang
một buồng vi cộng hưởng với bước sóng cộng hưởng ở 672.35 nm (b).
Hình 3.8 trình bày phổ phản xạ mô phỏng và thực nghiệm của cùng
một mẫu buồng vi cộng hưởng với bước sóng thiết kế λ=610.73nm; số
chu kỳ N=4; chiết suất các lớp lần lượt là n1=2,1 và n2=1,75; bề dày các
lớp d1=72.70nm; d2=87.25nm. Nói chung, giữa mô phỏng và thực nghiệm
khá phù hợp nhau, chúng cho thấy các thông số của quá trình chế tạo các
buồng cộng hưởng (chiết suất và độ dày của các lớp) là tương ứng với các
thông số dự đoán trước thông qua quá trình chế tạo (mật độ dòng và thời
gian ăn mòn). Bên cạnh đó, sự phù hợp này còn cho thấy khả năng có thể
dự đoán trước kết quả của quá trình thực nghiệm thông qua mô phỏng.
Silic xốp là một loại vật liệu đặc trưng bởi phản ứng hóa học cao, nếu
để nó tiếp xúc trong môi trường không khí thì các kết cấu bị oxy hóa một
phần và dẫn đến giảm chỉ số khúc xạ của cấu trúc có thể thay đổi tính chất
quang học của nó. Để ổn định cấu trúc của buồng vi cộng hưởng bởi các
tác nhân bên ngoài, quá trình oxy hóa nhiệt cho cấu trúc mẫu là cần thiết.
Hình 3.8. So sánh phổ phản xạ thực nghiệm (1) và mô phỏng (2) của
cùng một mẫu buồng vi cộng hưởng dựa trên PC 1D.
Hình 3.9 là phổ phản xạ của mẫu buồng vi cộng hưởng trước và sau
khi oxy hóa. Sự dịch chuyển về vùng sóng ngắn của bước sóng cộng
hưởng là do sự giảm chiết suất hiệu dụng của các lớp xốp khi bị oxy hóa.
Hình 3.9. Phổ của buồng vi cộng hưởng sau khi oxy hóa nhiệt
3.3. Sử dụng buồng vi cộng hưởng làm cảm biến quang ứng dụng cho
các dung môi hữu cơ.
3.3.1. Xây dựng sơ đồ đo và kết quả thu được từ pha lỏng và pha hơi
của cảm biến quang tử một chiều dựa trên silic xốp.
Theo sơ đồ trên hình 3.10, Pmẫu liên hệ với áp suất hơi trong bình chứa
dung môi, Pdung môi, thông qua dòng khí chảy qua dung dịch với tốc độ V.
Như vậy, giữa độ dịch chuyển bước sóng, áp suất hơi trong bình chứu
dung dịch và tốc độ dòng khí có một mối liên hệ mà chúng ta có thể biểu
diễn như sau:
Δλ ~ Pdung dịch. ϑ(V)
(3.3)
Trong đó ϑ(V) là một hàm thực nghiệm liên quan đến tốc độ dòng khí
V. Giả thiết rằng áp suất hơi trong bình chứa dung dịch tuân theo quy luật
áp suất hơi trong bình kín chúng ta có thể xác định Pdung dịch bằng các
phương trình sau:
Pdung dịch = Ʃ Pi Xi
(Raoul’s low)
(3.4)
Pi = Ai exp (- ΔHvap / RT) (Clausion-Clapeyron equation) (3.5)
trong đó Pi, Xi là áp suất riêng phần, nồng độ mol tương ứng của chất
tham gia dung dịch, ΔHvap là enthalpy hóa hơi của chất, R là hằng số khí
lý tưởng, T là nhiệt độ dung dịch.
Hình 3.10. Sơ đồ hệ đo nồng độ dung môi bằng cảm biến pha hơi dùng
hiệu ứng nhiệt độ và áp suất hơi riêng phần.
Chúng tôi tiến hành thí nghiệm trên các dung môi hữu cơ phổ biến như
ethanol, acetone và methanol. Để thuận lợi cho việc phân tích dưới đây,
một số tính chất vật lý của họ được thể hiện trong Bảng 3.2.
Bảng 3.2. Một số tính chất vật lý của ethanol, acetone và methanol
Nước Acetone Methanol Ethanol
100 56.2 64.6 78.5
1.3330 1.3614 1.3614 1.3614
Chất phân tích
Nhiệt độ sôi (oC)
Chiết suất
Độ nhạy cao nhất của các phép đo nhiệt
độ áp suất hơi riêng phần, nm /%, (A)
Độ nhạy cao nhất của phép đo áp suất
hơi bão hòa, nm /%, (B)
Độ nhạy của phép đo lỏng, nm /%, (C)
Tỷ lệ độ nhạy: A / B
5.2
3.2
5.1
2.3
6.9
2.7
0.14
1.6
0.17
2.6
2.2
37.1
40.6
Tỷ lệ độ nhạy: B / C
Hình 3.11. Sự phụ thuộc của độ dịch bước sóng vào nồng độ ethanol.
Hình 3.11 và hình 3.12 cho thấy sự phụ thuộc của bước sóng cộng
hưởng (Δλ) và độ nhạy (S) vào nồng độ khối lượng ethanol trong nước
(C) qua phép đo lỏng, áp suất hơi bão hòa và các phép đo áp suất hơi riêng
phần với nhiệt độ dung dịch (T) và vận tốc của dòng khí (V) như là các
tham số. Rõ ràng, đường cong số 8 trong hình 3.11 mô tả Δλ (C) là phép
đo pha lỏng được thể hiện bằng một hàm tuyến tính, do đó các hàm số mô
tả S (C) của đường cong số 8 trong hình 3.12 là một hàm liên tục với giá
trị độ nhạy 0,17.
Đường cong số 7 trong hình 3.11 trong phép đo áp suất hơi bão hòa
có thể được coi là một ví dụ điển hình cho các cảm biến hơi dựa trên
silicon xốp. Khi nồng độ khối lượng ethanol trong nước tăng, đường cong
này cho thấy xen kẽ cơ chế physisorption có độ dốc thấp, sự lắng đọng
Hình 3.12. Sự phụ thuộc của độ nhạy vào nồng độ khối lượng ethanol.
mao mạch có độ dốc cao và chế độ làm ướt, trong đó chất lỏng làm ướt
lấp đầy hoàn toàn các lỗ xốp, với độ dốc giảm đáng kể. Chúng tôi tập
trung quan tâm vào các đường cong từ số 4 đến 7 trong hình 3.12 về đạo
hàm của các hàm mô tả các đường cong 4-7 trong hình 3.11. Khi tăng T
và V, chúng tôi quan sát thấy hai hiện tượng như sau: i) tăng độ nhạy và
nhanh chóng đạt được những giá trị rất lớn ngay cả ở các khu vực có nồng
độ thấp; ii) sự xuất hiện của điểm tối đa trên đường cong S (C) và sự thay
đổi của các điểm này với nồng độ thấp. Hiện tượng đầu tiên là do sự hiện
diện của sự lắng đọng mao mạch trong khi thứ hai là do sự xuất hiện sớm
của chế độ làm ướt ở nồng độ thấp.
Hình 3.13. Sự phụ thuộc của độ nhạy vào nồng độ methanol trong nước
Hình 3.14. Sự phụ thuộc của sự thay đổi bước sóng vào nồng độ khối
lượng acetone trong nước.
Hình 3.13 và hình 3.14 cho thấy đường cong mô tả sự phụ thuộc của
độ nhạy vào nồng độ methanol và acetone trong nước từ phép đo lỏng, áp
suất bão hòa, phép đo nhiệt độ áp suất hơi riêng phần với T và V như là
các tham số. Những hình này cũng cho thấy đường cong thực nghiệm mô
tả Δλ (C). Dựa vào độ nhạy cao nhất là 6,9 nm /% trong các phép đo nhiệt
độ áp suất hơi riêng phần, chúng tôi tính toán và nhận được giới hạn phát
hiện (Limited of Detected) là 0.014% khi sử dụng một hệ thống quang
học với độ phân giải 0,1 nm. Giá trị LOD này tương ứng với một sự thay
đổi trong chỉ số khúc xạ là 1,2*10-6 RIU như chúng tôi áp dụng các
phương trình mô tả sự phụ thuộc của chiết suất vào nồng độ chất tan cho
dung dịch ethanol.
3.3.2. Ứng dụng buồng vi cộng hưởng một chiều dựa trên silic xốp làm
cảm biến xác định hàm lượng methanol trong ethanol.
Phần thực nghiệm trên đã trình bày phương pháp xác định nồng độ
thấp của dung môi với độ nhạy cao. Vì vậy chúng tôi đã đề xuất sử dụng
phương pháp trên ứng dụng vào bài toán thực tế đó là phân tích nồng độ
của methanol có trong rượu.
Hình 3.15 trình bày hệ đo methanol ở các nồng độ an toàn trong rượu
với một cảm biến pha hơi dựa trên buồng vi cộng hưởng silic xốp. Như
thể hiện trong hình, các dung dịch và cảm biến được đặt trong hai buồng
được ngăn cách với nhau trong điều kiện nhiệt độ và liên quan với nhau
về áp suất với một dòng khí chảy qua dung dịch. Sự sắp xếp này cho phép
chúng ta kiểm soát độc lập nhiệt độ của dung dịch và buồng cảm biến.
Hình 3.15. Sơ đồ hệ đo để phát hiện methanol trong rượu bằng cảm
biến dựa trên silic xốp với sự thay đổi nhiệt độ dung dịch dung môi và
nhiệt độ buồng cảm biến.
Đối với mỗi lần thí nghiệm, chúng tôi đo trong 5 phút. Sai số ngẫu nhiên
của sự thay đổi bước sóng từ giá trị trung bình của 5 lần đo là nhỏ hơn
0,6 nm. Sự phụ thuộc của sự thay đổi bước sóng Δλ, vào nồng độ
methanol Cm, 45% và 30% rượu ở nhiệt độ cảm biến của 22oC khi nhiệt
độ dung dịch Tso như một tham số được thể hiện trên hình 3.16.
Hình 3.16. Sự phụ thuộc của sự thay đổi bước sóng vào nồng độ
methanol trong rượu 45% và 30% ở nhiệt độ cảm biến của 22oC khi
nhiệt độ dung dịch Tso hoạt động như một tham số
Trong trường hợp của chúng tôi, việc chuyển đổi bước sóng tương đối
lớn (khoảng 22 nm đến 32 nm) ở nồng độ methanol từ 0% cho thấy sự
lắng đọng mao mạch đã xảy ra ở nhiệt độ dung dịch từ 45oC đến 55oC cho
cả hai dung dịch ethanol.
Hình 3.17. Sự phụ thuộc của sự thay đổi bước sóng vào nồng độ
methanol trong 45% và 30% rượu ở nhiệt độ dung dịch 55oC khi nhiệt
độ cảm biếnTse hoạt động như một tham số
Khi xảy ra trong sự lắng đọng mao mạch, phản ứng của cảm biến là
tuyến tính trong phạm vi hẹp của nồng độ. Rõ ràng, độ nhạy được tính
như độ dốc của đường cong nội suy tại các điểm thí nghiệm là tỷ lệ thuận
với nhiệt độ dung dịch. Trong giới hạn nhiệt độ dung dịch từ 45oC đến
55oC, độ nhạy tăng từ 1,42 nm /% đến 2,59 nm /% cho dung dịch ethanol
30% và từ 2.90 nm /% đến 3,63 nm /% cho 45% dung dịch ethanol.
Hình 3.17 cho thấy sự phụ thuộc của sự thay đổi bước sóng Δλ vào
nồng độ methanol Cm, 45% và 30% rượu ở nhiệt độ dung dịch 55oC khi
nhiệt độ cảm biến Tse hoạt động như một tham số. Rõ ràng, các đường
cong từ 1 đến 5 mô tả sự phụ thuộc của Δλ trên Cm là tuyến tính và độ
dốc của họ tăng lên cùng với sự gia tăng của nồng độ ethanol trong dung
dịch và với sự sụt giảm của các cảm biến nhiệt độ. Trong đường cong 6,
phản ứng của cảm biến là tuyến tính đối với nồng độ methanol thấp hơn
3% và sau đó tăng sự dịch chuyển dần dần cho đến khi bão hòa ở mức
Tải về để xem bản đầy đủ
24 trang
14080
Free
Bạn đang xem 20 trang mẫu của tài liệu "Tóm tắt Luận văn Nghiên cứu chế tạo tinh thể quang tử một chiều có cấu trúc buồng vi cộng hưởng làm bằng silic xốp ứng dụng làm cảm biến cho các dung môi hữu cơ", để tải tài liệu gốc về máy hãy click vào nút Download ở trên
File đính kèm:
- tom_tat_luan_van_nghien_cuu_che_tao_tinh_the_quang_tu_mot_ch.pdf
