Đồ án Nghiên cứu độ tin cậy của hệ thống điện tử công suất sử dụng trong công nghiệp
BỘ GIÁO DỤC VÀ ĐÀO TẠO
TRƯỜNG ĐẠI HỌC QUẢN LÝ VÀ CÔNG NGHỆ HẢI PHÒNG
ISO 9001:2015
NGHIÊN CỨU ĐỘ TIN CẬY CỦA CÁC HỆ THỐNG
ĐIỆN TỬ CÔNG SUẤT SỬ DỤNG TRONG CÔNG NGHIỆP
ĐỒ ÁN TỐT NGHIỆP ĐẠI HỌC HỆ CHÍNH QUY
NGÀNH ĐIỆN TỰ ĐỘNG CÔNG NGHIỆP
HẢI PHÒNG - 2019
BỘ GIÁO DỤC VÀ ĐÀO TẠO
TRƯỜNG ĐẠI HỌC QUẢN LÝ VÀ CÔNG NGHỆ HẢI PHÒNG
NGHIÊN CỨU ĐỘ TIN CẬY CỦA CÁC HỆ THỐNG
ĐIỆN TỬ CÔNG SUẤT SỬ DỤNG TRONG CÔNG NGHIỆP
ĐỒ ÁN TỐT NGHIỆP ĐẠI HỌC HỆ CHÍNH QUY
NGÀNH: ĐIỆN TỰ ĐỘNG CÔNG NGHIỆP
Sinh viên
Đào Văn Phán
Giảng viên hướng dẫn :GSTSKH Thân Ngọc Hoàn
HẢI PHÒNG - 2019
BỘ GIÁO DỤC VÀ ĐÀO TẠO
TRƯỜNG ĐẠI HỌC QUẢN LÝ VÀ CÔNG NGHỆ HẢI PHÒNG
--------------------------------------
NHIỆM VỤ ĐỀ TÀI TỐT NGHIỆP
Sinh viên: Đào Văn Phán - Mã SV: 1512102053
Lớp: DC1901 - Ngành: Điện Tự Động Công Nghiệp
Tên đề tài: Nghiên cứu độ tin cậy của hệ thống điện tử công suất sử dụng
trong công nghiệp
NHIỆM VỤ ĐỀ TÀI
1. Nội dung và các yêu cầu cần giải quyết trong nhiệm vụ đề tài tốt nghiệp
( về lý luận, thực tiễn, các số liệu cần tính toán và các bản vẽ).
……………………………………………………………………………..
……………………………………………………………………………..
……………………………………………………………………………..
……………………………………………………………………………..
……………………………………………………………………………..
……………………………………………………………………………..
……………………………………………………………………………..
……………………………………………………………………………..
2. Các số liệu cần thiết để thiết kế, tính toán.
……………………………………………………………………………..
……………………………………………………………………………..
……………………………………………………………………………..
……………………………………………………………………………..
……………………………………………………………………………..
……………………………………………………………………………..
……………………………………………………………………………..
……………………………………………………………………………..
……………………………………………………………………………..
3. Địa điểm thực tập tốt nghiệp.
……………………………………………………………………………..
……………………………………………………………………………..
……………………………………………………………………………..
CÁN BỘ HƯỚNG DẪN ĐỀ TÀI TỐT NGHIỆP
Người hướng dẫn thứ nhất:
Họ và tên
: GSTSKH Thân Ngọc Hoàn
Học hàm, học vị
: Giáo sư Tiến sĩ Khoa Học
Cơ quan công tác : Trường Đại Học Quản Lý và Công Nghệ Hải Phòng
Nội dung hướng dẫn : Toàn bộ đề tài
Người hướng dẫn thứ hai:
Họ và tên:.............................................................................................
Học hàm, học vị:...................................................................................
Cơ quan công tác:.................................................................................
Nội dung hướng dẫn:............................................................................
Đề tài tốt nghiệp được giao ngày tháng năm
Yêu cầu phải hoàn thành xong trước ngày tháng năm
Đã nhận nhiệm vụ ĐTTN
Đã giao nhiệm vụ ĐTTN
Người hướng dẫn
Sinh viên
Đào Văn Phán
GSTSKH Thân Ngọc Hoàn
Hải Phòng, ngày ...... tháng........năm 2019
Hiệu trưởng
GS.TS.NGƯT Trần Hữu Nghị
CỘNG HÒA XÃ HỘI CHỦ NGHĨA VIỆT NAM
Độc lập - Tự do - Hạnh phúc
PHIẾU NHẬN XÉT CỦA GIẢNG VIÊN HƯỚNG DẪN TỐT NGHIỆP
Họ và tên giảng viên:
Đơn vị công tác:
..............................................................................................
........................................................................ .....................
...................................... Chuyên ngành: ..............................
......................................................................... .......... ..........
Họ và tên sinh viên:
Đề tài tốt nghiệp:
Tinh thần thái độ của sinh viên trong quá trình làm đề tài tốt nghiệp
...........................................................................................................................................
...........................................................................................................................................
...........................................................................................................................................
...........................................................................................................................................
1. Đánh giá chất lượng của đồ án/khóa luận (so với nội dung yêu cầu đã đề ra
trong nhiệm vụ Đ.T. T.N trên các mặt lý luận, thực tiễn, tính toán số liệu…)
....................................................................................................................................
....................................................................................................................................
....................................................................................................................................
....................................................................................................................................
....................................................................................................................................
2. Ý kiến của giảng viên hướng dẫn tốt nghiệp
Được bảo vệ
Không được bảo vệ
Điểm hướng dẫn
Hải Phòng, ngày … tháng … năm ......
Giảng viên hướng dẫn
(Ký và ghi rõ họ tên)
CỘNG HÒA XÃ HỘI CHỦ NGHĨA VIỆT NAM
Độc lập - Tự do - Hạnh phúc
PHIẾU NHẬN XÉT CỦA GIẢNG VIÊN CHẤM PHẢN BIỆN
Họ và tên giảng viên: ...............................................................................................
Đơn vị công tác: .......................................................................................................
Họ và tên sinh viên: ...................................... Chuyên ngành: .................................
Đề tài tốt nghiệp: ......................................................................................................
1. Phần nhận xét của giáo viên chấm phản biện
..........................................................................................................................................
..........................................................................................................................................
..........................................................................................................................................
..........................................................................................................................................
..........................................................................................................................................
..........................................................................................................................................
2. Những mặt còn hạn chế
...........................................................................................................................................
...........................................................................................................................................
...........................................................................................................................................
..........................................................................................................................................
..........................................................................................................................................
3. Ý kiến của giảng viên chấm phản biện
Được bảo vệ
Không được bảo vệ
Điểm hướng dẫn
Hải Phòng, ngày … tháng … năm ......
Giảng viên chấm phản biện
(Ký và ghi rõ họ tên)
MỤC LỤC
Chương 1:.............................................................................................................. 3
1.2 DIODE CÔNG SUẤT..................................................................................... 4
1.2.2 Đặc tính Volt – Ampere (V – A).................................................................. 5
1.2.3 Trạng thái đóng ngắt .................................................................................... 6
1.2.4 Các tính chất động........................................................................................ 6
1.2.5 Mạch bảo vệ diode ....................................................................................... 7
1.2.6 Các đại lượng định mức của diode............................................................... 8
1.3.1 Nguyên lý cấu tạo và làm việc..................................................................... 9
1.3.3 Trạng thái đóng ngắt .................................................................................. 11
1.3.4 Các tính chất động...................................................................................... 11
1.3.5 Các đại lượng định mức của transistor....................................................... 12
1.3.6 Mạch kích và bảo vệ cho transistor............................................................ 12
1.5 IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) .................................................... 19
1.6 SCR (Silicon Controlled Rectifier)............................................................... 21
1.6.1 Mô tả và chức năng.................................................................................... 21
1.6.2 Các tính chất và trạng thái cơ bản.............................................................. 22
1.6.3 Đặc tính V-A.............................................................................................. 23
1.6.4 Khả năng mang tải...................................................................................... 24
1.6.5 Mạch kích SCR .......................................................................................... 24
1.6.6 Mạch bảo vệ SCR....................................................................................... 26
1.7 TRIAC........................................................................................................... 27
1.7.1 Đặc điểm cấu tạo........................................................................................ 27
1.7.2 Đặc tính V-A.............................................................................................. 28
1
CHƯƠNG 2:........................................................................................................ 31
2.2.1 Chỉnh lưu nửa chu kỳ có điều khiển .......................................................... 32
2.3.1 Chỉnh lưu ba pha hình tia có điều khiển .................................................... 35
Chương 3 :........................................................................................................... 43
TRONG CÔNG NGHIỆP................................................................................... 43
3.4 YÊU CẦU TUỔI THỌ ................................................................................. 48
KẾT LUẬN:....................................................................................................... 65
TÀI LIỆU THAM KHẢO................................................................................... 66
2
Chương 1:
Lời mở đầu :
Kỷ nguyên của Truyền động điện có thể coi như bắt đầu từ thế kỷ 19 khi
Tesla phát minh ra động cơ không đồng bộ năm 1888. Từ đó, động cơ điện dần
dần thay thế động cơ hơi nước, vốn được coi là động lực cho cách mạng công
nghiệp lần thứ nhất (thế kỷ 18) và lần thứ hai (thế kỷ 19).
Sự ra đời của các van bán dẫn công suất lớn như diode, BJT, thyristor, triac và
tiếp đó là IGBT thực sự mang đến cho truyền động điện một sự biến đổi lớn về
chất và lượng. Bài nghiên cứu nhằm mục đích phân loại tìm hiểu độ tin cậy cảu
điện tử công suát đối với ngành công nghiệp phát triển nhanh chóng như hiện
nay.
CÁC LINH KIỆN ĐIỆN TỬ CÔNG SUẤT
1.1 PHÂN LOẠI LINH KIỆN ĐIỆN TỬ CÔNG SUẤT
- Các linh kiện bán dẫn công suất có hai chức năng cơ bản là ĐÓNG và
NGẮT dòng điện đi qua nó.
- Trạng thái linh kiện dẫn điện (ĐÓNG): linh kiện giống như một điện
trở có giá trị rất bé (gần bằng không).
- Trạng thái linh kiện không dẫn điện (NGẮT): linh kiện giống như một
điện trở có giá trị rất lớn.
- Các linh kiện bán dẫn có thể chuyển đổi trạng thái làm việc từ trạng
thái dẫn điện sang trạng thái không dẫn điện và ngược lại thông qua tín hiệu kích
thích tác động lên cổng điều khiển của linh kiện. Ta gọi linh kiện có điều khiển
được. Tín hiệu điều khiển có thể là dòng điện, điện áp hay ánh sáng với công
suất nhỏ hơn nhiều so
3
- Nếu linh kiện không có cổng điều khiển và quá trình chuyển trạng thái
làm việc xảy ra dưới tác dụng của nguồn công suất ở ngõ ra, ta gọi linh kiện thộc
loại khôngđiều khiển được.
-
Đối với các linh kiện điều khiển được, nếu tín hiệu điều khiển chỉ là
cho nó dẫn dòng điện mà không thể tác động ngắt dòng điện qua nó, ta gọi linh
kiện không có khả năng kích ngắt (SCR, TRIAC). Ngược lại, nếu linh kiện có
thể chuyển trạng thái làm việc từ đóng sang ngắt hay từ ngắt sang đóng thông
qua tín hiệu kích thích tác động lên cổng điều khiển gọi là linh kiện có khả năng
kích ngắt (BJT, MOSFET, IGBT,GTO…).
Ta có thể phân ra thành ba nhóm linh kiện như sau :
- Nhóm các linh kiện không điều khiển như Diode, DIAC.
- Nhóm các linh kiện điều khiển kích đóng được như SCR, TRIAC.
- Nhóm các linh kiện điều khiển kích ngắt được như BJT, MOSFET,
IGBT, GTO.
1.2 DIODE CÔNG SUẤT
1.2.1 Nguyên lý cấu tạo và làm việcvới công suất của nguồn và tải.
Hình H1.2.1: Cấu trúc Diode (a) và ký hiệu (b)
Diode được cấu tạo bằng mối nối P-N, lớp N thừa điện tử, lớp P thiếu
điện tử đồng thời chứa các phần tử mang điện dạng lỗ trống tạo ra hàng rào điện
thế vào khoảng 0,6 V.
4
Hình H1.2.1a : Sơ đồ nguyên lý phân cực cho diode
a) phân cực thuận b) phân cực ngược
Khi ta đặt một điện áp lên diode, cực dương gắn với lớp P và cực âm gắn
với lớpN
(hình H1.2.1a.a), khi đó điện tử được chuyển từ lớp N qua lớp P. Còn các
hạt mang điện được chuyển từ lớp P sang lớp N và như vậy có một dòng điện
chạy qua diode.
Khi điện áp ngược được đặt lên diode (cực dương gắn với lớp N và cực
âm gắn với lớp P – hình H1.2.1a.b), điện tử và phần tử mang điện dạng lỗ trống
và các điện tử tự do bị kéo ra xa mối nối, kết quả chỉ có dòng điện rò vào
khoảng vài mA có thể chạy qua.
Khi điện áp ngược tiếp tục tăng các điện tích cũng tăng gia tốc gây lên va
chạm dây chuyền làm hàng rào điện thế bị chọc thủng và diode mất tính chất
dẫn điện theo một chiều (diode bị hỏng).
Trên hình vẽ, đầu ra của lớp P gọi là Anode (A) và lớp N là Cathode (K).
1.2.2 Đặc tính Volt – Ampere (V – A)
5
Hình H1.2.2: Đặc tính V – A thực tế (a) và lý tưởng(b)
Đặc tính có hai nhánh: nhánh thuận tương ứng với trạng thái dẫn điện
(nằm ở góc phần tư I) và nhánh nghịch tương ứng với trạng thái ngắt (nằm ở góc
phần tư III) như trên hình H1.2.2. Trong đó, hình H1.2.2a là đặc tính V – A thực
tế, hình H1.2.2b là đặc tính lý tưởng.
Giải thích các ký hiệu :
- U0: điện áp khóa của diode, U0 = 0,3V 0,6V tùy theo chất bán dẫn.-
UF: điện áp thuận của diode
-
-
UR: điện áp ngược của diode (điện áp đánh thủng)
IF: dòng điện thuận chạy qua diode.
1.2.3 Trạng thái đóng ngắt
Khi điện áp đặt vào anode và cathode lớn hơn điện áp khóa của diode thì
diode sẽ dẫn điện, ngược lại thì diode sẽ khóa (không dẫn điện).
UAK> U0: diode dẫn điện.
UAK< U0: diode ngưng dẫn.
Ta xét với trường hợp diode lý tưởng :
UAK> 0: diode dẫn điện.
UAK< 0: diode ngưng dẫn.
1.2.4 Các tính chất động
6
Quá trình chuyển mạch: là quá trình diode chuyển từ trạng thái dẫn điện
sang trạng thái ngắt.
Hình H1.2.4: Quá trình chuyển mạch của
Trong khoảng [0t0] diode dẫn và dòng qua nó là dòng thuận IF
t
Tại thời điểm
0
diode ngắt, dòng qua diode (dòng thuận) giảm dần về 0.
tt
Khi
1
: dòng thuận tiến tới 0, nhưng do chuyển động của các hạt dẫn nên
diode tiếp tục dẫn với dòng có chiều ngược lại.
tt
Khi
ngược.
Khi
1.2.5 Mạch bảo vệ diode
2
: các hạt dẫn tiêu tán hết, diode khôi phục khả năng khoá áp
tt
3
: dòng ngược giảm về 0. Qúa trình ngắt diode kết thúc.
7
Hình H1.2.5: Mạch bảo vệ diode
Để hạn chế ảnh hưởng của hiện tượng quá áp và bảo vệ cho diode công
suất, ta mắc song song với diode mạch lọc RC.Tuy nhiên, các diode công suất
trên thực tế đã tích hợp sẳn mạch RC.
1.2.6 Các đại lượng định mức của diode
Điện áp định mức: là điện áp ngược lớn nhất (URM) có thể lặp lại tuần
hoàn trêndiode.
Dòng điện định mức: là dòng điện thuận lớn nhất (IFM) chạy qua diode
mà không làm cho diode bị hỏng.
Để tăng khả năng chịu áp tải ta ghép nối tiếp các diode, để tăng khả năng
chịu dòng tải ta ghép song song các diode.
Hình dạng của một số diode trên thực tế như trên hình H1.2.6.
Hình H1.2.6: Một số diode trên thực tế.
1.3 BJT CÔNG SUẤT (BIPOLAR JUNTION TRANSISTOR)
8
1.3.1 Nguyên lý cấu tạo và làm việc
Transistor được cấu tạo bởi cấu trúc 3 lớp dạng n-p-n (hình H1.3.1a) hoặc
p-n-p (hình H1.3.1b).Nhưng dạng n-p-n được sử dụng nhiều hơn vì loại này có
kích thước nhỏ hơn với cùng một mức điện áp và dòng điện.
Transistor có 3 cực: cực Base (B), cực Collector (C) và cực Emitter (E) và
là linh kiện được điều khiển hoàn toàn thông qua cực B và E. Mạch công suất
nối giữa 2 cực C và E.
Ký hiệu của transistor như trên hình H1.3.1a
Hình H1.3.1: Nguyên lý cấu tạo của transistor
Hình H1.3.1a : Ký hiệu của transistor
Trong lĩnh vực điện tử công suất, transistor BJT được sử dụng như một
công tắc đóng ngắt các mạch điện, phần lớn sử dụng loại NPN và mắc theo dạng
mạch có Emitter chung (hình H1.3.1 b )
9
Trên hai cực B và E là điện áp điều khiển uBE.Các điện cực C, E được sử
dụng làm công tắc đóng ngắt mạch công suất. Điện áp điều khiển phải có tác
dụng tạo ra dòng iB đủ lớn để điện áp giữa hai cực C và E đạt giá trị bằng không
(uCE=0).
Transistor là linh kiện được điều khiển hoàn toàn bằng dòng điện iB.
Hình H1.3.1b : Sơ đồ mắc theo dạng Emitter chung
1.3.2 Đặc tính V-A trong mạch có Emitter chung
Đặc tính V-A ngõ ra của mạch mắc theo dạng E chung như trên hình
H1.3.2a (đặc tính thực tế) và hình H1.3.2b (đặc tính lý tưởng).
Hình H1.3.2: Đặc tính V-A ngõ ra của mạch E
10
Đặc tính ngõ ra: biểu diễn quan hệ của các đại ngõ ra iC = f(uCE), thông số biến
thiên là dòng kích iB. Các đặc tính ngõ ra được vẽ cho các giá trị khác nhau của
iB.
Đường thẳng biểu diễn UCE = U - ICRC là đường đặc tính tải. Giao điểm
của đường này với các đặc tính ngõ ra sẽ xác định điểm làm việc của transistor.
Trong vùng chứa đặc tính ngõ ra, ta phân biệt ba vùng: vùng nghịch, vùng
bảo hòa và vùng tích cực.
Vùng nghịch: iB= 0, transistorởtrạng thái ngắt. Dòng iCcó giá
trịnhỏkhôngđáng kể đi qua transistor và tải gọi là dòng điện rò.
Vùng bảo hòa: là vùng giới hạn xác định bởi điện thếUCE=
UCE(sat)nhỏnhất cóthể đạt được ứng với giá trị IC cho trước và vùng giới hạn
bởi đường đặc tính khi
I B= 0.
Nếu điểm làm việc nằm trong vùng bảo hòa (xem điểm đóng như trên
hình H1.3.2a), transistor sẽ đóng, transistor làm việc như một khóa đóng ngắt
dòng điện.
Vùng tích cực: là vùng transistor hoạt độngởchế độkhuếch đại tín hiệu.
1.3.3 Trạng thái đóng ngắt
IB ≥ IB(sat) : BJT đóng.
IB = 0: BJT ngắt.
Với IB(sat) là dòng điện IB bảo hòa. Để đơn giản, ta thường xét điều kiện
đóng ngắt của transistor ở điều kiện lý tưởng.
IB> 0 : BJT đóng.
IB = 0: BJT ngắt.
1.3.4 Các tính chất động
Quá trình dòng collector IC có dạng xung vuông như trên hình H1.3.4b.
Thời gian đóng ton kéo dài khoảng vài µs, thời gian ngắt hơn 10µs.
11
Hình H1.3.4: Quá trình chuyển mạch của transistor
Quá trình chuyển mạch tạo nên công suất tổn hao do đóng ngắt của
transistor. Công suất tổn hao làm giới hạn tần số hoạt động của transistor.Khi
đóng ngắt, dòng điện qua transistor lớn và điện áp ở mức cao nên giá trị tức thời
của công suất tổn hao lớn.
Quá trình chuyển đổi điểm làm việc từ vị trí NGẮT đến vị trí ĐÓNG
(hoặc ngược lại) được mô tả như trên hình H1.3.4a.Quá trình này kéo dài trong
thời gian ton hoặc toff.
1.3.5 Các đại lượng định mức của transistor
Định mức điện áp: giá trị điện áp cực đại trên hai cực C, E khi iB= 0 và
trên haicực B, E khi iC = 0. Các giá trị này là giá trị tức thời.
Định mức dòng điện: là giá trịcực của các dòng điện iC, iE, và iB. Đó là
các giá trịcực đại tức thời của transistor khi đóng trong trạng thái bảo hòa.
Công suất tổn hao: công suất tổn hao tạo ra chủyếu trên cực C.
PC = UCE.IC.Công suất tổn hao làm cho transistor nóng lên.Khi
transistor làm việc, nhiệt độ sinh ra trên transistor không được vượt quá giá trị
nhiệt độ cho phép, thường là 1500C.
1.3.6 Mạch kích và bảo vệ cho transistor
a. Điều khiển kích đóng:
12
Sơ đồ mạch và giản đồ xung kích như trên hình 1.3.6.Khi xung điện áp
UB được đưa vào, dòng điện qua cổng B bị giới hạn bởi điện trở R1.
Hình 1.3.6: Sơ đồ mạch kích và giản đồ xung kích
b. Điều khiển ngắt:
Khi điện áp UB giảm xuống giá trị âm U2< 0, trên hai cực B, E xuất hiện
điện áp ngược bằng tổng điện áp UB và UC.
Sau khi tụ C xả hết, điện áp trên BE xác lập bằng U2< 0 nên transistor bị
kíchngắt.
Thí dụ sơ đồ mạch kích
Hình H1.3.6a Một dạng sơ đồ mạch kích cho transistor
13
Tải về để xem bản đầy đủ
Bạn đang xem 20 trang mẫu của tài liệu "Đồ án Nghiên cứu độ tin cậy của hệ thống điện tử công suất sử dụng trong công nghiệp", để tải tài liệu gốc về máy hãy click vào nút Download ở trên
File đính kèm:
- do_an_nghien_cuu_do_tin_cay_cua_he_thong_dien_tu_cong_suat_s.pdf