Bài giảng Kiến trúc máy tính - Chương: Bộ nhớ và các thiết bị lưu trữ - Nguyễn Ngọc Hóa

Kiến trúc máy tính  
Bộ nhớ và các thiết bị lưu trữ  
NGUYỄN Ngọc Hoá  
Bộ môn Hệ thống thông tin, Khoa CNTT  
Trường Đại học Công nghệ,  
Đại học Quốc gia Hà Nội  
16 September 2015  
Nội dung  
1. Khái niệm chung  
2. Bộ nhớ chính  
3. Bộ nhớ cache  
4. Bộ nhớ ngoài (các thiết bị lưu trữ)  
5. Tổng kết và bài tập  
Tham khảo chương 4,5,6 của [1]  
Computer Architecture DepartmentofInformationSystems@NGUYNNgọc Hoá  
2
1. Khái niệm  
Bộ nhớ: thiết bị có thể bảo quản khôi phục một thông tin  
Từ nhớ: tập bits có thể được đọc hay ghi đồng thời  
Các kiểu vật liệu nhớ:  
Bán dẫn – semiconductor (register, cache, bộ nhớ chính, …)  
Từ - mangnetic (đĩa mềm, đĩa cứng, …)  
Optic (CD-ROM, DVD-ROM)  
…  
Computer Architecture DepartmentofInformationSystems@NGUYNNgọc Hoá  
3
Đặc điểm  
1. Vị trí  
2. Dung lượng  
3. Đơn vị truyền  
4. Kiểu truy cập  
5. Hiệu năng  
6. Kiểu vật liệu  
7. Đặc trưng vật liệu  
8. Tổ chức  
Computer Architecture DepartmentofInformationSystems@NGUYNNgọc Hoá  
4
Đặc điểm…  
Vị trí  
CPU  
Internal  
External  
Dung lượng  
Phụ thuộc vào kích thước từ nhớ, và  
Số lượng từ nhớ  
Đơn vị truyền  
Bên trong: phụ thuộc vào độ rộng bus dữ liệu  
Bên ngoài: block(>từ nhớ)  
Đơn vị có thể đánh địa chỉ được  
Computer Architecture DepartmentofInformationSystems@NGUYNNgọc Hoá  
5
Đặc điểm…  
Kiểu truy cập  
Tuần tự: VD băng từ  
Trực tiếp:  
Mỗi 1 block có 1 địa chỉ duy nhất  
Truy cập = cách nhảy đến vùng lân cập và tìm tuần tự  
Thời gian truy cập vào vị trị hiện tại hiện tại và trước đó  
VD: HardDisk, Floppy Disk,…  
Ngẫu nhiên:  
Mỗi địa chỉ xác định chính xác một vị trí  
Thời gian truy cập không phụ thuộc vào vị trí cũng như lần truy cập trước  
VD: RAM, …  
Kết hợp:  
Một từ được định vị thông qua việc sử dụng một phần nội dung của từ đó  
Thời gian truy cập không phụ thuộc vào vị trí cũng như lần truy cập trước  
VD: cache, …  
Computer Architecture DepartmentofInformationSystems@NGUYNNgọc Hoá  
6
Đặc điểm…  
Chiến thuật phân cấp bộ nhớ: How much? How fast? How  
expensive?  
Registers  
L1 Cache  
L2 Cache  
Main memory  
Disk cache  
Disk  
Optical  
Tape  
Computer Architecture DepartmentofInformationSystems@NGUYNNgọc Hoá  
7
Đặc điểm…  
Hiệu năng:  
Thời gian truy cập: khoảng thời gian từ khi gửi địa chỉ cho đến khi thu  
được dữ liệu trọn vẹn  
Thời gian chu trình nhớ - Memory Cycle Time:  
Thời gian bộ nhớ đòi hỏi để “hồi phục” trước lần truy cập kế tiếp  
= access + recovery  
Tốc độ chuyển dữ liệu  
Kiểu vật liệu:  
Semiconductor :RAM  
Magnetic: Disk & Tape  
Optical: CD & DVD  
Others: Bubble, Hologram  
Computer Architecture DepartmentofInformationSystems@NGUYNNgọc Hoá  
8
Đặc điểm…  
Đặc trưng vật liệu:  
Phân rã - Decay  
Dễ thay đổi - Volatility  
Có thể xoá được - Erasable  
Năng lượng tiêu thụ  
Tổ chức:  
Cách thức sắp xếp các bits trong một từ  
Thường không rõ ràng  
VD: interleaved  
Computer Architecture DepartmentofInformationSystems@NGUYNNgọc Hoá  
9
2. Bộ nhớ chính  
Bộ nhớ bên trong máy tính  
Semi-conductor  
Truy cập ngẫu nhiên  
Kiểu:  
RAM- Random Access Memory: lưu giữ những dữ liệu tạm thời  
ROM – Read Only Memory: lưu giữ thông tin cố định  
Computer Architecture DepartmentofInformationSystems@NGUYNNgọc Hoá  
10  
Read Only Memory (ROM)  
Lưu giữ thông tin cố định - permanent storage, nonvolatile  
Microprogramming  
Library subroutines  
Systems programs (BIOS)  
Function tables  
Kiểu:  
Written during manufacture  
Very expensive for small runs  
Programmable (once)  
PROM  
Needs special equipment to program  
Read “mostly”  
Erasable Programmable (EPROM)  
Erased by UV  
Electrically Erasable (EEPROM)  
Takes much longer to write than read  
Flash memory  
Erase whole memory electrically  
Computer Architecture DepartmentofInformationSystems@NGUYNNgọc Hoá  
11  
RAM  
DRAM Dynamic RAM  
Bits được lưu trữ trong các tụ điện  
Đơn giản, kích thước bé, giá thành rẻ  
Chậm, cần 1 chu trình làm tươi ngay cả khi đã được cung cấp nguồn  
SRAM St
Bits được l
Không cần
Phức tạp, k
Computer Architecture DepartmentofInformationSystems@NGUYNNgọc Hoá  
12  
Dynamic RAM  
Đường địa chỉ được kích hoạt khi đọc/ghi bit  
Transistor switch closed (current flows)  
Ghi  
Voltage to bit line  
High for 1 low for 0  
Then signal address line  
Transfers charge to capacitor  
Đọc  
Address line selected  
transistor turns on  
Charge from capacitor fed via bit line to sense amplifier  
Compares with reference value to determine 0 or 1  
Capacitor charge must be restored  
Computer Architecture DepartmentofInformationSystems@NGUYNNgọc Hoá  
13  
Destructive Read  
sense amp  
bitline  
Vdd  
1
0
voltage  
Wordline Enabled  
Sense Amp Enabled  
After read of 0 or 1, cell contains  
something close to 1/2  
Vdd  
storage  
cell voltage  
Computer Architecture DepartmentofInformationSystems@NGUYNNgọc Hoá  
14  
Cơ chế làm tươi - refresh  
Sau khi đọc, nội dung của DRAM cell đã bị thay đổi  
Lưu các giá trị cells trong bộ đệm hàng row buffer  
Ghi lại các giá trị đó cho các cells trong lần đọc kế tiếp  
DRAM cells  
Sense Amps  
Row Buffer  
Thực tế, DRAM cell sẽ mất nội dung  
ngay cả khi không có tác vụ đọc  
lý do được gọi là “dynamic”  
1
0
Vì thế các cells trong DRAM cần được  
Gate Leakage  
định kỳ đọc và ghi lại nội dung  
Computer Architecture DepartmentofInformationSystems@NGUYNNgọc Hoá  
15  
Static RAM  
Transistor arrangement gives stable logic state  
State 1  
C1 high, C2 low  
T1 T4 off, T2 T3 on  
State 0  
C2 high, C1 low  
T2 T3 off, T1 T4 on  
Address line transistors T5 T6 is switch  
Write apply value to B & compliment to B  
Read value is on line B  
Computer Architecture DepartmentofInformationSystems@NGUYNNgọc Hoá  
16  
SRAM vs. DRAM  
Cả hai đều có tính chất volatile  
Cần cung cấp năng lượng để bảo quản dữ liệu  
Dynamic cell  
Đơn giản, kích thước nhỏ gọn  
Mật độ cell cao  
Chi phí thấp  
Cần chu kỳ làm tươi  
Cho phép kết hợp thành các đơn vi nhớ lớn  
Static  
Nhanh hơn, cồng kềnh hơn  
Cho phép xây dựng các bộ nhớ Cache  
Computer Architecture DepartmentofInformationSystems@NGUYNNgọc Hoá  
17  
Synchronous DRAM (SDRAM)  
Truy cập được đồng bộ hoá với một đồng hồ bên ngoài  
Địa chỉ được truyền đến RAM  
RAM tìm dữ liệu (CPU đợi như DRAM thông thường)  
Khi SDRAM chuyển dữ liệu theo thời gian đồng bộ với system clock,  
CPU biết được khi nào dữ liệu sẵn sàng  
=> CPU không cần phải chờ và có thể làm việc khác  
Burst mode: cho phép SDRAM thiết lập dòng dữ liệu theo từng block  
Chỉ chuyển dữ liệu 1 lần trong 1 chu kỳ đồng hồ  
DDR-SDRAM - Double-data-rate 1 SDRAM  
Gửi dữ liệu 2 lần trong một chu kỳ đồng hồ (leading & trailing edge)  
DDR2-SDRAM - Double-data-rate 2 SDRAM  
DDR3-SDRAM - Double-data-rate 3 SDRAM  
Cache DRAM: (misubishi)  
Tích hợp SRAM cache (16k) vào trong DRAM chip  
Computer Architecture DepartmentofInformationSystems@NGUYNNgọc Hoá  
18  
DRAM Read Timing  
Việc truy cập là không đồng  
bộ: được kiểm soát bởi các  
tín hiệu RAS & CAS, các tín  
hiệu này có thể được sinh ra  
ngẫu nhiên  
Computer Architecture DepartmentofInformationSystems@NGUYNNgọc Hoá  
19  
SDRAM Read Timing  
Double-Data Rate (DDR) DRAM  
transfers data on both rising and  
falling edge of the clock  
Command frequency  
does not change  
Burst Length  
Timing figures taken from “A Performance Comparison of Contemporary  
DRAM Architectures” by Cuppu, Jacob, Davis and Mudge  
Computer Architecture DepartmentofInformationSystems@NGUYNNgọc Hoá  
20  
pdf 20 trang yennguyen 12/04/2022 3680
Bạn đang xem tài liệu "Bài giảng Kiến trúc máy tính - Chương: Bộ nhớ và các thiết bị lưu trữ - Nguyễn Ngọc Hóa", để tải tài liệu gốc về máy hãy click vào nút Download ở trên

File đính kèm:

  • pdfbai_giang_kien_truc_may_tinh_chuong_bo_nho_va_cac_thiet_bi_l.pdf